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Estado sem chumbo/estado de RoHS: | Sem chumbo/RoHS complacente |
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Descriço detalhada: | SRAM - Paralela assíncrona 10ns 36-SOJ de IC 4Mb da memória (512K x 8) |
Tenso - fonte: | 1,65 V ~ 3,6 V |
Tamanho de memória: | 4Mb (512K x 8) |
Relaço da memória: | Paralelo |
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página: | 10ns |
Nível da sensibilidade de umidade (MSL): | 3 (168 horas) |
Formato da memória: | SRAM |
Tecnologia: | SRAM - Assíncrono |
Temperatura de funcionamento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Destaques quentes das ofertas
Modelo do produto | Tipo |
ATSAMD20E17A-MUT | MICROCHIP |
IRF7832TRPBF | INFINE0N |
CY8C4025AXI-S412 | CYPRESS |
ADC78H90CIMTX/NOPB | SI |
DPS310XTSA1 | INFINE0N |
TLC5941QPWPRQ1 | SI |
TPD2S701QDSKRQ1 | SI |
TPD8F003DQDR | SI |
MC9S08AW32CFUE | |
MSP430FR2311IPW20R | SI |
Problema comum