IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
Number modelo:IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
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Tipo:Infineon Technologies/retificador internacional IOR
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MOSFETs dos FETs dos transistor TO-220AB HEXFET de IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
N-canal 180A 200W dos transistor através dos MOSFETs dos FETs do furo TO-220AB HEXFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Descriço:
Este MOSFET do poder de HEXFET® utiliza as técnicas de
processamento as mais atrasadas para conseguir extremamente - a
baixa em-resistência pela área do silicone.
As características adicionais deste produto so uma temperatura de
funcionamento da junço 175°C, a velocidade rapidamente de comutaço
e avaliaço repetitiva melhorada da avalancha. Estas características
combinam para fazer a este projeto um dispositivo extremamente
eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de
aplicações.
N-canal 180A (Tc) 200W (Tc) com a especificaço do furo TO-220AB:
Categoria | Produtos de semicondutor discretos |
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos | |
Mfr | Infineon Technologies |
Série | HEXFET® |
Pacote | Tubo |
Tipo do FET | N-canal |
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
Drene tenso da fonte (Vdss) | 40 V |
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 180A (Tc) |
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 3.7mOhm @ 75A, 10V |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
Vgs (máximo) | ±20V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 4340 PF @ 25 V |
Característica do FET | - |
Dissipaço de poder (máxima) | 200W (Tc) |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montando o tipo | Através do furo |
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-220AB |
Pacote/caso | TO-220-3 |
Número baixo do produto | IRF1404 |
IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
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