Transistor de canal N IRF1404ZPBF 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Number modelo:IRF1404ZPBF
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Prazo de entrega:2~8 dias úteis
Tipo:Infineon Technologies/retificador internacional IOR
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MOSFET do FET do transistor 180A 200W HEXFET do canal de IRF1404ZPBF N
N-canal 180A 200W dos transistor de IRF1404ZPBF através dos MOSFETs dos FETs do furo TO-220AB HEXFET
N-canal 180A (Tc) 200W (Tc) com a especificaço do furo TO-220AB:
Categoria | Produtos de semicondutor discretos |
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos | |
Mfr | Infineon Technologies |
Série | HEXFET® |
Pacote | Tubo |
Tipo do FET | N-canal |
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
Drene tenso da fonte (Vdss) | 40 V |
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 180A (Tc) |
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 3.7mOhm @ 75A, 10V |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
Vgs (máximo) | ±20V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 4340 PF @ 25 V |
Característica do FET | - |
Dissipaço de poder (máxima) | 200W (Tc) |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montando o tipo | Através do furo |
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-220AB |
Pacote/caso | TO-220-3 |
Número baixo do produto | IRF1404 |
Descriço
Este MOSFET do poder de HEXFET® utiliza as técnicas de processamento as mais atrasadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone.
As características adicionais deste produto so uma temperatura de funcionamento da junço 175°C, a velocidade rapidamente de comutaço e avaliaço repetitiva melhorada da avalancha. Estas características combinam para fazer a este projeto um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
Transistor de canal N IRF1404ZPBF 180A 200W HEXFET FET MOSFET
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