Mosfets discretos do poder dos dispositivos de semicondutor SIHF10N40D-E3 do transistor do canal de N
Number modelo:SIHF10N40D-E3
Quantidade de ordem mínima:1 parte
Termos do pagamento:T/T
Prazo de entrega:2~8 dias úteis
Tipo:Semicondutor de Vishay
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Guangzhou Guangdong China
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Room 2201-03, Room 2206, Changfeng International 1, No. 96, Lixin No. 12 Road, Zengcheng District, Guangzhou City, Guangdong province
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Especificações técnicas do produto
Mosfets discretos do poder dos semicondutores SIHF10N40D-E3 do transistor do canal de N
| UE RoHS | Complacente |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotivo | No |
| PPAP | No |
| Categoria de produto | MOSFET do poder |
| Configuraço | Único |
| Modo do canal | Realce |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos pela microplaqueta | 1 |
| Tenso máxima da fonte do dreno (v) | 400 |
| Tenso de fonte de porta máxima (v) | ±30 |
| Tenso máxima do ponto inicial da porta (v) | 5 |
| Dreno contínuo máximo (a) atual | 10 |
| Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) | 100 |
| IDSS máximo (A) | 1 |
| Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 600@10V |
| Carga típica @ Vgs da porta (nC) | 15@10V |
| Carga típica @ 10V da porta (nC) | 15 |
| Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 526@100V |
| Dissipaço de poder máxima (mW) | 33000 |
| Tempo de queda típico (ns) | 14 |
| Tempo de elevaço típico (ns) | 18 |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 18 |
| Tempo de atraso de ligaço típico (ns) | 12 |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 150 |
| Pacote do fornecedor | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Nome do pacote padro | TO-220 |
| Montagem | Através do furo |
| Altura do pacote | 16,12 (máximo) |
| Comprimento do pacote | 10,63 (máximo) |
| Largura do pacote | 4,83 (máximo) |
| O PWB mudou | 3 |
| Aba | Aba |
| Forma da ligaço | Através do furo |
| Número da peça | SIHF10N40D-E3 |
| Número da peça baixa | SIHF10N40 |
| UE RoHS | Complacente com isenço |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Mosfets discretos do poder dos dispositivos de semicondutor SIHF10N40D-E3 do transistor do canal de N
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