Transistor discreto dos dispositivos de semicondutor IHW30N160R2 do poder H30R1602 IGBT

Descriço do produto

Série macia macia do interruptor de IC IHW30N160R2FKSA1 dos semicondutores do poder da série do interruptor dos transistor H30R1602 de IHW30N160R2 IGBTs

Aplicações:
• Cozimento indutivo
• Aplicações de comutaço macias

Descriço:

Reverso (RC-) IGBT de conduço de TrenchStop® com o diodo monolítico do corpo
Características:
• Diodo monolítico poderoso do corpo com tenso dianteira muito baixa
• O diodo do corpo aperta tensões negativas
• Tecnologia da trincheira e do Fieldstop para 1600 ofertas das aplicações de V:
- distribuiço muito apertada do parmetro
- aspereza alta, comportamento estável da temperatura
• A tecnologia do NPT oferece a capacidade de comutaço da paralela fácil devido a
coeficiente de temperatura positivo em VCE (se sentou)
• Baixo IEM
• Qualificado de acordo com JEDEC1
para aplicações do alvo
• chapeamento Pb-livre da ligaço; RoHS complacente

Especificaço: IGBT NPT, parada de campo 1600 V da trincheira 60 A 312 W através do furo PG-TO247-3-1

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