Canal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF do MOSFET N do poder de Infineon HEXFET
Number modelo:IRLR3915TRPBF
Quantidade de ordem mínima:1 parte
Termos do pagamento:T/T
Prazo de entrega:2~8 dias úteis
Tipo:Infineon Technologies/retificador internacional IOR
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Canal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF do MOSFET N do poder de Infineon HEXFET
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/produtos de semicondutor discretos internacionais do N-canal 55V 30A DPAK do MOSFET do IOR HEXFET do retificador
Montagem D-Pak da superfície 120W do N-canal 55 V 30A (Tc) (Tc)
Descriço
Este MOSFET do poder de HEXFET® utiliza as técnicas de processamento as mais atrasadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone.
As características adicionais deste produto so uma temperatura de funcionamento da junço 175°C, a velocidade rapidamente de comutaço e avaliaço repetitiva melhorada da avalancha. Estas características combinam para fazer a este projeto um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
Características:
Avalancha repetitiva de comutaço rápida ultra baixa avançada da temperatura de funcionamento da Em-resistência 175°C da tecnologia de processamento permitida até o pasto de Tjmax D-Pak IRLR3915PbF Eu-Pak IRLU3915PbF
Especificações técnicas do produto
| Número da peça | IRLR3915TRPBF |
| Número da peça baixa | IRLR3915 |
| UE RoHS | Complacente com isenço |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Categoria | Produtos de semicondutor discretos |
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos | |
Mfr | Infineon Technologies |
Série | HEXFET® |
Pacote | Fita & carretel (TR) |
Estado da parte | Ativo |
Tipo do FET | N-canal |
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
Drene tenso da fonte (Vdss) | 55 V |
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 30A (Tc) |
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 14mOhm @ 30A, 10V |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
Vgs (máximo) | ±16V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1870 PF @ 25 V |
Característica do FET | - |
Dissipaço de poder (máxima) | 120W (Tc) |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montando o tipo | Montagem de superfície |
Pacote do dispositivo do fornecedor | D-Pak |
Pacote/caso | TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63 |
Número baixo do produto | IRLR3915 |
Canal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF do MOSFET N do poder de Infineon HEXFET
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