dispositivos de semicondutor discretos 06N90E de 900V 6A FMV06N90E FMH06N90E
Number modelo:IRF1404PBF IRF1404ZPBF
Quantidade de ordem mínima:1 parte
Termos do pagamento:T/T
Prazo de entrega:2~8 dias úteis
Tipo:Infineon
Certificado:/
Contate
Add to Cart
Dos Estados-activa
Guangzhou Guangdong China
Endereço:
Room 2201-03, Room 2206, Changfeng International 1, No. 96, Lixin No. 12 Road, Zengcheng District, Guangzhou City, Guangdong province
Fornecedor do último login vezes:
No 47 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
Descriço do produto
Semicondutores discretos 900V 6A de 06N90E FMV06N90E FMH06N90E
MOSFET do poder do N-canal de IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF 40V único em um pacote TO-220
Sobre IRF1404PBF:
Sumário das características
MOSFET do poder do N-canal de IRF1404 40V único em um pacote TO-220
Estrutura de pilha planar para SOA largo
Aperfeiçoado para a disponibilidade a mais larga dos sócios da
distribuiço
Qualificaço do produto de acordo com o padro de JEDEC
Pacote do poder da superfície-montagem do padro do setor
avaliaço Alto-atual
Benefícios:
Aspereza aumentada
compatibilidade do Multi-vendedor
Nível da qualificaço do padro do setor
O pinout padro permite a gota na substituiço
Capacidade levando atual alta
Especificações técnicas do produto
| Parametrics | IRF1404 |
| Identificaço (@25°C) máximo | 202 A |
| Montagem | THT |
| Ptot máximo | 200 W |
| Pacote | TO-220 |
| Polaridade | N |
| QG (tipo @10V) | 131 nC |
| Qgd | 42 nC |
| RDS (sobre) (@10V) máximo | mΩ 4 |
| RthJC máximo | 0,75 K/W |
| Características especiais | SOA largo |
| Tj máximo | °C 175 |
| VDS máximo | 40 V |
| Minuto de VGS (th) máximo | 3 V 2 V 4 V |
| VGS máximo | 20 V |
dispositivos de semicondutor discretos 06N90E de 900V 6A FMV06N90E FMH06N90E
Inquiry Cart
0