Dispositivo semicondutor de alta tensão IGBT 650V-1200V com alta impedância de entrada

Local de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:Confirmar a quantidade com base no número da peça
Detalhes da embalagem:Confirmar o pacote com base no número da peça
Tempo de entrega:Confirmado
Condições de pagamento:Pagamento de T/T
Capacidade de abastecimento:600KK/ano
Contate

Add to Cart

Fornecedor verificado
Dongguan Guangdong China
Endereço: - Não, não.7Rua XingRong, cidade de ShiJie, cidade de Dongguan, província de Guangdong, China
Fornecedor do último login vezes: No 27 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

 
Dispositivo semicondutor IGBT de ultra-alta tenso com alta impedncia de entrada

Descriço do produto:

Com sua velocidade de comutaço mais rápida, este IGBT de alta potência garante uma converso de energia eficiente, resultando em perda de energia reduzida e maior confiabilidade do sistema.Isto faz com que seja uma excelente escolha para aplicações de alta frequência, em especial os que operam a uma frequência de aplicaço de 20KHz-60KHz.
O tipo de pacote deste IGBT é TO-247, que é um pacote de alta potência que oferece fácil montagem e alta condutividade térmica.o que o torna uma escolha ideal para aplicações de alta potência.
Este IGBT de alta potência tem uma tenso nominal de 650V-1200V, o que garante que ele pode lidar com aplicações de alta tenso sem problemas.garantir o melhor desempenho possível do seu sistema.
No geral, o nosso IGBT de alta potência é uma excelente escolha para as suas necessidades de energia.e baixas características VCE (sat) torná-lo uma escolha ideal para uma ampla gama de aplicações de alta potênciaEnto, por que esperar? Obtenha seu IGBT de alta potência hoje e experimente a potência e confiabilidade de que precisa para suas aplicações industriais e comerciais.

 

Características:

  • Nome do produto: IGBT de alta potência
  • Frequência de aplicaço: 20KHz-60KHz
  • Voltagem nominal: 650V-1200V
  • Tipo de embalagem: TO-247
  • Tipo de dispositivo: IGBT
  • Aplicaço:
    • Eletrodomésticos
    • Motores de traço
    • Ventilador
    • Bombeiros
    • Aspirador
    • Aplicações gerais de PFC para inversores
    • Fornecimentos de energia ininterruptos
    • Inversores solares Conversores de ressonncia
    • UPS Boost Estaço de Energia Portátil Armazenamento de Energia
    • Inversor de cordas solares
    • Fornecimentos de energia ininterruptos
    • Dispositivo de remoço de pelos
    • Luz de flash
  • Características:
    • Alta eficiência
    • Baixa tenso de saturaço
    • Modulos IGBT 62 mm
 

Parmetros técnicos:

Tipo de embalagemTO-247
Tipo de dispositivoIGBT
Velocidade de comutaçoVelocidade de comutaço mais rápida
Nomenclatura de tenso650 V a 1200 V
Frequência de aplicaço20KHz-60KHz
AplicaçoEletrodomésticos, motores, ventiladores, bombas, aspiradores, inversores gerais Aplicações PFC • Fornecimentos de energia ininterruptíveis, inversores solares, conversores de ressonnciaUPS Boost Estaço de Energia Portátil Armazenamento de Energia • Inversor de Cordas Solares • Fornecimentos de Energia Ininterruptíveis Dispositivo de remoço de pelos, flash light.
Palavras-chaveIGBT Snubber Capacitor, eletrônicos de consumo, dispositivo de depilaço
 

Aplicações:

O produto IGBT de alta potência Lingxun tem uma tenso nominal de 650V-1200V, o que o torna adequado para uso em uma ampla gama de aplicações, incluindo eletrodomésticos como ventiladores, bombas,e aspiradores de póTambém é comumente utilizado em motores e aplicações gerais de inversor PFC.A velocidade de comutaço mais rápida do produto e a frequência de aplicaço de 20KHz-60KHz tornam-no uma escolha ideal para uso em conversores de ressonncia, UPS impulsionar estações de energia portáteis e sistemas de armazenamento de energia.
O produto IGBT de alta potência Lingxun é também comumente utilizado em inversores solares e inversores de cordas solares,onde a sua elevada eficiência e fiabilidade a tornam uma escolha ideal para estas aplicações exigentesAlém disso, o produto é utilizado em fontes de alimentaço ininterrupta (UPS), onde a sua capacidade de lidar com correntes e voltagens elevadas o torna uma escolha fiável para sistemas de alimentaço de reserva.
O produto IGBT de alta potência Lingxun é embalado em embalagens TO-247 e está disponível em uma variedade de números de peças com quantidades mínimas de encomenda a serem confirmadas.Os preços e a embalagem também dependem do número da peçaO produto tem uma capacidade de fornecimento de 600KK/ano e tem um prazo de entrega a ser confirmado.
O produto IGBT de alta potência Lingxun também é comumente usado em aparelhos de depilaço e lanternas, onde seu banco de energia de alta capacidade é uma característica importante.Os módulos IGBT de 62 mm do produto tornam-no adequado para utilizaço numa variedade de aplicações onde a fiabilidade e a eficiência so de extrema importncia.
 

 
Q1. Quem somos nós?
A: Estamos baseados em Guangdong, China, fábrica iniciada em 2012, é uma empresa nacional de alta tecnologia que se concentra na embalagem e teste de dispositivos de semicondutores de potência.Atualmente tem mais de 180 tem mais de 180 funcionários e mais de 10000 metros quadrados de áreaFornecemos mais de 600 KK de alta qualidade de dispositivos semicondutores de energia por ano.
 
Q2.Qual é a sua linha de produtos?
R: As principais linhas de produço existentes incluem a Schottky, a Schottky de baixa frequência, os diodos de recuperaço rápida, a Mosfet de alta tenso, a Mosfet de média e baixa tenso, a Mosfet de super junço, a IGBT,Diodo de barreira de curta duraço de SiC e Sic Mosfet etc..
 
Q3.Qual é a aplicaço do seu produto?
R: Amplamente utilizado em vários campos, tais como adaptadores de energia, iluminaço LED, motores sem escovas, gesto de baterias de lítio, inversores, armazenamento de energia e pilha de carregamento, etc.
 
Q4.Qual é a sua vantagem competitiva?
A:1.Fábrica de capacidades fortes. Temos a nossa própria fábrica de montagem e teste, investimento fixo superior a 70 milhões de yuans. Tendo o equipamento de ligaço de fio automatizado superior,fornecer mais de 600KK dispositivos de energia de semicondutores anualmente.
2. Vantagens dos serviços,um sistema de abastecimento estável,um abastecimento sustentável e estável de produtos.O nosso próprio laboratório pode cooperar rápida e eficazmente com a validaço.
3. Garantia da qualidade,Fábrica digital do sistema MES mais comum no campo da embalagem e do teste, certificada pela verso ISO9001 2015 e pela IATF16949.
4. Melhoria do produto, Pesquisa e desenvolvimento contínuos de novas especificações e formas de embalagem para satisfazer as necessidades de aplicaço de mais clientes.
 
Q5. Quais so os seus termos de embalagem?
R:Normalmente, diferentes embalagens têm embalagens diferentes.TO-252/263 é bobina+saco selado+caixa interna+carto.TO-220/247 é tubo+caixa interna+carto.
 
Q6.Qual é o seu MOQ?
A: Nós fornecemos amostras para cada item. MOQ depende da sua quantidade de pedido.
 
Q7.Qual é a sua garantia de qualidade?
A: Oferecer amostras para teste. Certifique-se de que o produto a granel é consistente com a amostra. Se houver alguma alteraço, a amostra será fornecida novamente para teste.100% de teste e verificaço de todos os produtos antes da entrega.
 
Q8. Aceita a personalizaço?
A: Sim, mande-me a sua exigência!
 
Q9.Como posso contactar-vos?
R:Envie os detalhes da sua consulta na secço abaixo, clique em Enviar, AGORA!!!
Se tiver mais dúvidas, por favor, sinta-se vontade para contactar-nos.

China Dispositivo semicondutor de alta tensão IGBT 650V-1200V com alta impedância de entrada supplier

Dispositivo semicondutor de alta tensão IGBT 650V-1200V com alta impedância de entrada

Inquiry Cart 0