GaAs obsoletos HJ FET RF FETs 2GHz 18dBm Potência de saída 14dB Ganho SOT-343F Produto de semicondutores fabricanteCEL

Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:Obsoletos
Voltagem nominal:4 V
Pacote:Em granel
Série:-
Figura de ruído:0.45 dB
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 1105, Edifício New Asia Guoli, n.o 18, Rua Zhonghang, Rua Huaqiang Norte, Comunidade Huahang, Shenzhen, Guangdong, China
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Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto
RF Mosfet 2 V 10 mA 2GHz 14dB 18dBm F4TSMM, M04
China GaAs obsoletos HJ FET RF FETs 2GHz 18dBm Potência de saída 14dB Ganho SOT-343F Produto de semicondutores fabricanteCEL supplier

GaAs obsoletos HJ FET RF FETs 2GHz 18dBm Potência de saída 14dB Ganho SOT-343F Produto de semicondutores fabricanteCEL

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