Infineon Technologies LDMOS FET 65V 2.14GHz 15.8dB Transistor de ganho para amplificação de potência de RF

Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:Obsoletos
Tipo de montagem:Montagem de superfície
Voltagem nominal:65 V
Pacote:Tape & Reel (TR)
Série:-
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 1105, Edifício New Asia Guoli, n.o 18, Rua Zhonghang, Rua Huaqiang Norte, Comunidade Huahang, Shenzhen, Guangdong, China
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Detalhes do produto
RF Mosfet 30 V 1,6 A 2,14 GHz 15,8 dB 50W H-37260-2
China Infineon Technologies LDMOS FET 65V 2.14GHz 15.8dB Transistor de ganho para amplificação de potência de RF supplier

Infineon Technologies LDMOS FET 65V 2.14GHz 15.8dB Transistor de ganho para amplificação de potência de RF

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