FET RF BLF3G21 LDMOS obsoleto com potência de saída de 30 W para frequência de 2 GHz

Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:Obsoletos
Tipo de montagem:Montura do chassi
Voltagem nominal:65 V
Pacote:Caixa
Série:-
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 1105, Edifício New Asia Guoli, n.o 18, Rua Zhonghang, Rua Huaqiang Norte, Comunidade Huahang, Shenzhen, Guangdong, China
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Detalhes do produto
RF Mosfet 26 V 450 mA 2GHz 13,5 dB 30W SOT467C
China FET RF BLF3G21 LDMOS obsoleto com potência de saída de 30 W para frequência de 2 GHz supplier

FET RF BLF3G21 LDMOS obsoleto com potência de saída de 30 W para frequência de 2 GHz

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