Obsoleto LDMOS RF FET 110V 60W Transistor de montagem de superfície 1GHz 18dB Ganho para amplificação de RF

Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:Obsoletos
Tipo de montagem:Montagem de superfície
Voltagem nominal:110 V
Pacote:Tape & Reel (TR)
Série:-
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 1105, Edifício New Asia Guoli, n.o 18, Rua Zhonghang, Rua Huaqiang Norte, Comunidade Huahang, Shenzhen, Guangdong, China
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Detalhes do produto
RF Mosfet 50 V 40 mA 1GHz 18 dB 60W 4-HSOP
China Obsoleto LDMOS RF FET 110V 60W Transistor de montagem de superfície 1GHz 18dB Ganho para amplificação de RF supplier

Obsoleto LDMOS RF FET 110V 60W Transistor de montagem de superfície 1GHz 18dB Ganho para amplificação de RF

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