FET RF LDMOS ativo 65V Frequência nominal 2,69GHz 28W Saída ganho de 18dB

Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:Atividade
Voltagem nominal:65 V
Pacote:Tape & Reel (TR)
Série:-
Figura de ruído:-
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 1105, Edifício New Asia Guoli, n.o 18, Rua Zhonghang, Rua Huaqiang Norte, Comunidade Huahang, Shenzhen, Guangdong, China
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Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto
RF Mosfet 28 V 900 mA 2,69 GHz 18dB 28W
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FET RF LDMOS ativo 65V Frequência nominal 2,69GHz 28W Saída ganho de 18dB

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