Semicondutor RF Dual Gate N Channel obsoleto 29dB Gain FET para aplicações RF

Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:Obsoletos
Tipo de montagem:Montagem de superfície
Voltagem nominal:10 V
Pacote:Tape & Reel (TR)
Configuração:Portão duplo de canal N
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 1105, Edifício New Asia Guoli, n.o 18, Rua Zhonghang, Rua Huaqiang Norte, Comunidade Huahang, Shenzhen, Guangdong, China
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Detalhes do produto
RF Mosfet 5 V 15 mA 400 MHz 29dB CMPAK-4
China Semicondutor RF Dual Gate N Channel obsoleto 29dB Gain FET para aplicações RF supplier

Semicondutor RF Dual Gate N Channel obsoleto 29dB Gain FET para aplicações RF

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