1.05GHz MOSFET de potência de RF de silício da série V para aplicações RF de montagem de superfície de ganho

Categoria:Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:Atividade
Tipo de montagem:Montagem de superfície
Voltagem nominal:150 V
Pacote:Em granel
Configuração:-
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 1105, Edifício New Asia Guoli, n.o 18, Rua Zhonghang, Rua Huaqiang Norte, Comunidade Huahang, Shenzhen, Guangdong, China
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Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto
RF Mosfet 54 V 120 mA 1,025 GHz ~ 1,15 GHz 19,3 dB 825 W 55-KR
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1.05GHz MOSFET de potência de RF de silício da série V para aplicações RF de montagem de superfície de ganho

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