IKW25N120H3 - ec91221234

IKW25N120H3

corrente do escapamento do Porta-emissor:nA 600
Categoria de produtos:Transistores IGBT
Estilo de montagem:Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C:50 A
Pd - Dissipação de energia:326 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:1200 V
Contate

Add to Cart

Dos Estados-activa
Hong kong China
Endereço: Quarto 808, Torre A, 8-10 Rua Wah Sing, Kwai Chung, Hong Kong
Fornecedor do último login vezes: No 1 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto
O IKW25N120H3, da Infineon Technologies, so transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que so em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
Etiquetas de Produtos:
China IKW25N120H3 supplier

IKW25N120H3

Inquiry Cart 0