Indústria de alimentos e bebidas Sensor de pressão de silício de alta temperatura HT-IQT
Número do modelo:HT-IQT
Local de origem:Baoji, China.
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:Western Union, L/C, T/T
Capacidade de abastecimento:5000 pcs/mês
Tempo de entrega:5-8 dias úteis
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Fornecedor verificado
Baoji Shaanxi China
Endereço:
Edifício 4, não.195, Avenida Gaoxin, distrito de Weibin, cidade de Baoji, província de Shaanxi, China
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Detalhes do produto
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Detalhes do produto
HT-IQT Sensor de presso de silício de alta temperatura para a indústria de alimentos e bebidas
Sensor de presso piiezoresistivo de silício HT-IQT
Introduço do sensor de presso de silício:
O HT-IQT é um sensor de presso de diafragma com um chip de silício
de difuso de alta temperatura altamente estável.A presso é
transferida para o chip sensível através do diafragma de aço
inoxidável e o óleo de silicone de vedaço, e a ponte de resistência
do chip muda, resultando em uma mudança na tenso, e a tenso muda
para o nível de milivolts.fácil de limpar no produzirá cristalizaço
na extremidade do fio, fácil de limpar, instalaço simples, alta
fiabilidade. Adequado para alimentos, saúde e outras indústrias.
Características do produtocom um dimetro superior a 50 mm,:
- Tecnologia avançada e embalagens de acero inoxidável 316L
- Compensaço da temperatura e correcço do ponto zero através de uma película espessa
- circuitoExcelente fiabilidade, repetibilidade e estabilidade
- Apto para mediço da presso de gases e líquidos no corrosivos com 316Lcompatibilidade com o aço inoxidável
- Indústria alimentar e de bebidas
- Indústria farmacêutica
- Fornecimento de energia: ≤ 2 mA DC (típico 1,5 mA DC)
- Impedncia de entrada: 2,5 KΩ~6 KΩ
- Impedncia de saída: 2,5 KΩ~6 KΩ
- Conexo elétrica: pinos de Kovar banhados em ouro ou fios de alta temperatura de 100 mm.
| Parmetros de desempenhocom um dimetro superior a 50 mm,: | |||||
| Faixa de mediço | Dimetro ((G) | 35KPa, 100KPa, 200KPa, 350KPa, 1000KPa, 2000Kpa | |||
| Absoluto ((A) | 100KPaA, 200KPaA, 350KPaA, 700KPaA, 1000KPaA, 2000KPaA | ||||
| Selado | 3500 KPaS | ||||
| Tipo | Max. | Unidade | |||
| No-Linearidade | ± 0.15 | ± 0.3 | % F.S. | ||
| Repetitividade | 0.05 | 0.1 | % F.S. | ||
| Histerese | 0.05 | 0.1 | % F.S. | ||
| Output de compensaço zero | 0 ± 1 | 0 ± 2 | mV | ||
| Produço em escala total | ≤ 20 KPa | 50 ± 10 | 50 ± 30 | mV | |
| ≥ 35 kPa | 100 ± 10 | 100±30 | mV | ||
| Temperatura de deslocamento zero. | ≤ 20 KPa | ± 1 | ± 2 | % F.S. | |
| ≥ 35 kPa | ± 0.5 | ± 1 | % F.S. | ||
| Temperatura de escala completa. | ≤ 20 KPa | ± 1 | ± 2 | % F.S. | |
| ≥ 35 kPa | ± 0.5 | ± 1 | % F.S. | ||
| Temporário compensado. | ≤ 20 KPa | 0 ~ 50 | oC | ||
| ≥ 35 kPa | 0 ~ 70 | oC | |||
| Temperatura de funcionamento | -20 a 80 | oC | |||
| Temperatura de armazenamento | -40 ~ 125 | oC | |||
| Sobrecarga admissível | Tomar o valor menor entre 3 vezes a escala completa ou 120MPa | ||||
| Presso de exploso | 5x a escala completa | ||||
| Estabilidade a longo prazo | 0.2 % | F.S./ano | |||
| Material do diafragma | 316L | ||||
| Resistência ao isolamento | ≥ 200MΩ 100VDC | ||||
| Vibraço | Nenhuma alteraço em condições de 10gRMS, de 20 Hz a 2000 Hz | ||||
| Choque. | 100 g, 11 ms | ||||
| Tempo de resposta | ≤ 1 ms | ||||
| Selo de anel O | Goma nitrílica ou goma fluorada | ||||
| Meio de enchimento | Óleo de silício | ||||
| Peso | ~ 220 g | ||||
| Os parmetros so ensaiados nas seguintes condições: 1,5 mA @ 25°C | |||||
| Esboço Construço | |
| Dimenso | |
| Conexo elétrica e compensaço |
| Exemplos de seleço |
| Dicas de encomenda |
1No conjunto, prestar atenço coordenaço do tamanho do núcleo e da
caixa do transmissor para alcançar a vedaço necessária
2. Durante o processo de montagem da caixa, certifique-se de que está alinhada verticalmente e aplicar uma presso uniforme para evitar bloqueios ou danificar a placa de compensaço.
3Se o suporte em estudo for incompatível com o diafragma central e o material da carcaça (316L), devem ser fornecidas instruções especiais ao efectuar o pedido.
4Evite pressionar o diafragma do sensor com as mos ou com objetos afiados para evitar deformações ou perfurações do diafragma e danos ao núcleo.
5Manter a porta de presso do núcleo do medidor aberta atmosfera para evitar que a água, o vapor de água ou os meios corrosivos entrem na cmara de presso negativa do núcleo do medidor.
6Se algum pin mudar, consulte o rótulo no fio principal.
2. Durante o processo de montagem da caixa, certifique-se de que está alinhada verticalmente e aplicar uma presso uniforme para evitar bloqueios ou danificar a placa de compensaço.
3Se o suporte em estudo for incompatível com o diafragma central e o material da carcaça (316L), devem ser fornecidas instruções especiais ao efectuar o pedido.
4Evite pressionar o diafragma do sensor com as mos ou com objetos afiados para evitar deformações ou perfurações do diafragma e danos ao núcleo.
5Manter a porta de presso do núcleo do medidor aberta atmosfera para evitar que a água, o vapor de água ou os meios corrosivos entrem na cmara de presso negativa do núcleo do medidor.
6Se algum pin mudar, consulte o rótulo no fio principal.
| Empresa |
Indústria de alimentos e bebidas Sensor de pressão de silício de alta temperatura HT-IQT
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