IXFN38N100Q2 módulos de semicondutores discretos 38 Amp 1000V 0,25 Rds
Número do modelo:IXFN38N100Q2
Local de origem:Estados Unidos
Quantidade mínima de encomenda:1pcs
Condições de pagamento:T/T, Western Union
Capacidade de abastecimento:1500pcs
Tempo de entrega:1 dia
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Shenzhen Guangdong China
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Sala 1205-1207, edifício Nanguang, Rua Huafu, distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China
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IXFN38N100Q2 módulos de semicondutores discretos 38 Amp 1000V 0,25 Rds
| IXYS | |
| Categoria do produto: | Modulos de semicondutores discretos |
| RoHS: | Detalhes |
| Módulos MOSFET de potência | |
| Sim | |
| - 30 V, + 30 V | |
| Montura do chassi | |
| SOT-227-4 | |
| - 55 C. | |
| + 150 C | |
| IXFN38N100 | |
| Tubos | |
| Marca: | IXYS |
| Configuraço: | Solteiro |
| Tempo de queda: | 15 ns |
| Altura: | 9.6 mm |
| Id - Corrente de escoamento contínua: | 38 A |
| Duraço: | 38.23 mm |
| Número de canais: | 1 Canal |
| Pd - Dissipaço de energia: | 890 W |
| Tipo de produto: | Modulos de semicondutores discretos |
| Rds On - Resistência fonte de drenagem: | 250 mOhms |
| Hora de subida: | 28 ns |
| Subcategoria: | Modulos de semicondutores discretos |
| Nome comercial: | HiPerFET |
| Polaridade do transistor: | N-canal |
| Tempo típico de atraso da desligaço: | 57 ns |
| Tempo típico de atraso da ligaço: | 25 ns |
| Vds - Tenso de ruptura da fonte de drenagem: | 1 kV |
| Largura: | 25.42 mm |
| Peso unitário: | 1.058219 onças |
Wisdtech Technology Co.,Limited
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