SI7121DN-T1-GE3 P-Channel MOSFET IC 30V 16A 52W 1.8mohm 10V

Número do modelo:SI7121DN-T1-GE3

Local de origem:Estados Unidos

Quantidade mínima de encomenda:1pcs

Condições de pagamento:T/T, Western Union

Capacidade de abastecimento:5000

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Detalhes do produto

SI7121DN-T1-GE3 MOSFET 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V

Fabricante:	Vishay
Categoria do produto:	MOSFET
RoHS:	Detalhes
Tecnologia:	Sim
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Embalagem / Caixa:	PowerPAK-1212-8 (em inglês)
Polaridade do transistor:	Canal P
Número de canais:	1 Canal
Vds - Tenso de ruptura da fonte de drenagem:	30 V
Id - Corrente de escoamento contínua:	18 A
Rds On - Resistência fonte de drenagem:	26 mOhms
Vgs - Voltagem da fonte da porta:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tenso de limiar da porta-fonte:	2.5 V
Qg - Carga da porta:	50 nC
Temperatura de funcionamento mínima:	- 50 C.
Temperatura máxima de funcionamento:	+ 150 C
Pd - Dissipaço de energia:	27.8 W
Modo de canal:	Reforço
Nome comercial:	TrenchFET
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Faixa de corte
Embalagem:	MouseReel
Marca:	Vishay Semicondutores
Configuraço:	Solteiro
Altura:	10,04 mm
Duraço:	3.3 mm
Tipo de produto:	MOSFET
Subcategoria:	MOSFETs
Largura:	3.3 mm
Parte # Aliases:	SI7121DN-GE3
Peso unitário:	0.032487 onças

Etiquetas de Produtos:

ag726 mosfet Diodo 1n5399 mosfet irf3205

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