2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W através do buraco TO-3P ((L)
Número do modelo:2SA1943-O (((Q)
Local de origem:JP
Quantidade mínima de encomenda:1 PCS
Condições de pagamento:T/T, Western Union
Capacidade de abastecimento:5000
Tempo de entrega:1 dia
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 1205-1207, edifício Nanguang, Rua Huafu, distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
2SA1943-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W através do buraco
| Toshiba | |
| Categoria do produto: | Transistores bipolares - BJT |
| RoHS: | Detalhes |
| Através do Buraco | |
| TO-3P-3 | |
| PNP | |
| Solteiro | |
| 230 V | |
| 230 V | |
| 5 V | |
| 1.5 V | |
| 15 A | |
| 150 W | |
| 30 MHz | |
| - | |
| + 150 C | |
| 2SA | |
| Caixa | |
| Marca: | Toshiba |
| Corrente contínua do colector: | - 15 A |
| Receptor de corrente contínua/Ganho de base hfe Min: | 55 |
| Ganho de corrente contínua hFE Max: | 160 |
| Altura: | 26 mm |
| Duraço: | 20.5 mm |
| Tipo de produto: | BJT - Transistores bipolares |
| Subcategoria: | Transistores |
| Tecnologia: | Sim |
| Largura: | 5.2 mm |
| Peso unitário: | 0.238311 onças |
Aplicações de amplificadores de potência
• Alta tenso do colector: VCEO=-230 V (min)
• Complementar ao 2SC5200
• Recomendado para a fase de saída de um amplificador de frequência
de áudio de alta fidelidade de 100 W.
Especificações
- Fabricante: Toshiba
- Tipo de transistor: NPN
- Tipo de embalagem: TO-3PL
- Dissipaço máxima de potência: 150 W
- Voltagem do emissor do colector (VCEO): 230 V
- Corrente máxima do colector: 15A
- O ganho de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
- Frequência: 30 MHz
- Tipo de montagem: através de um buraco
- Temperatura de funcionamento: 150°C TJ
- Estatuto da parte: Obsoleta
2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W através do buraco TO-3P ((L)
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