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O MOSFET de Carbide de Silício (SiC) é um Transistor de Efeito de Campo de Semicondutores de Óxido de Metal de alta frequência e alta eficiência (MOSFET) baseado no material de Carbide de Silício.Este MOSFET tem um amplo intervalo de temperatura de trabalho, baixa resistência, operaço de alta frequência, baixa carga de porto e velocidade de comutaço rápida, tornando-o ideal para uso em aplicações de eletrônica de potência.O MOSFET de Carbono de Silício é projetado para fornecer um desempenho superior em termos de eficiênciaÉ capaz de lidar com níveis de potência elevados, suportar altas temperaturas e proporcionar perdas de potência muito baixas.O MOSFET também é capaz de operar em altas frequências, e alcançando uma elevada eficiência numa ampla gama de aplicações, tornando-a uma escolha ideal para aplicações de electrónica de potência.
O MOSFET de Carbono de Silício oferece uma combinaço única de baixa resistência e operaço de alta frequência.,A operaço de alta frequência do MOSFET proporciona um desempenho superior em termos de eficiência energética e fiabilidade,e a baixa resistência de ligaço torna-o uma escolha ideal para aplicações de alta potênciaA baixa carga de porto e a velocidade de comutaço rápida tornam-na uma escolha ideal para aplicações de alta potência e alta frequência.
Parmetro | Detalhes |
---|---|
Materiais | Carbono de silício |
Tipo | N |
Potência | Alto Poder |
Vantagens | Baseado na linha de produço padro militar nacional, o processo é estável e a qualidade é confiável |
Resistência | Baixa resistência |
Frequência | Frequência elevada |
Eficiência | Eficiência elevada |
Nome do produto | MOSFET de carburo de silício |
Tipo de dispositivo | MOSFET |
Aplicaço | Inversor solar, conversor de alta tenso DC/DC, condutor de motor, fonte de alimentaço UPS, fonte de alimentaço de comutaço, pilha de carga, etc. |
Palavras-chave | Transistor de Efeito de Campo de Carbono de Silício, Transistor de Efeito de Campo de Metal-óxido-semicondutor, Transistor de Efeito de Campo de Oxido de Metal de Carbono de Silício |
REASUNOS Transistores de Efeito de Campo de Metal-Óxido de Silício e Semicondutores (SiC MOSFETs) so a escolha perfeita para aplicações de alta corrente, alta voltagem e alta temperatura.Estes têm pouca resistência., os MOSFETs SiC de alta eficiência oferecem um excelente desempenho térmico e uma excelente fiabilidade.Fontes de alimentaço UPS, trocando fontes de alimentaço e pilhas de carregamento.
A REASUNOS oferece uma vasta gama de produtos MOSFET SiC em diferentes tipos e tamanhos.e embalagens tubulares antiestáticasO preço do produto depende da quantidade total e o prazo de entrega é geralmente de 2 a 30 dias, dependendo da encomenda.As condições de pagamento so 100% T/T antecipadamente (EXW)Temos uma capacidade de abastecimento de 5K por mês.
Os produtos MOSFET de carburo de silício so suportados por uma ampla gama de serviços técnicos e de suporte.
Os serviços técnicos e suporte disponíveis para os produtos MOSFET de carburo de silício incluem:
A embalagem e o envio do MOSFET de carburo de silício incluem as seguintes etapas: