Alta eficiência Baixa perda de potência Baixa tensão MOSFET Trench/SGT Processo

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Dongguan Guangdong China
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Descriço do produto:

O MOSFET de baixa tenso é um dispositivo semicondutor altamente eficiente, confiável e versátil projetado para atender s crescentes demandas de eficiência energética e controle de energia na eletrônica moderna.Com a sua trincheira de ponta e processos estruturais SGT (Super Gate Trench), este produto se destaca no domínio da gesto de energia e aplicações de comutaço electrónica.

No coraço do desempenho excepcional do MOSFET de Baixa Tenso está a sua tecnologia de processo de trincheira, que é adaptada para aplicações como carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista,Conversores DC/DCA estrutura inovadora da trincheira permite uma reduço da resistência e perda de potência no estado em funcionamento.ao mesmo tempo aumentando a velocidade de comutaço do dispositivo, tornando-o ideal para fontes de alimentaço de alta eficiência e carregadores que exigem capacidades de comutaço rápida.

O Transistor de Baixa Tenso no foi construído apenas para a velocidade;Ele também possui uma construço robusta e durável que pode lidar com eventos de alta energia com sua alta capacidade EAS (Energy Avalanche and Commutation Safe)Isto garante que os dispositivos que empregam estes MOSFETs possam suportar condições estressantes sem comprometer o seu desempenho ou longevidade.Esta característica é particularmente importante em aplicações onde picos de energia e ondas so comuns, oferecendo uma camada adicional de proteço ao circuito geral.

Além disso, a baixa característica Rds ((ON) do MOSFET de baixa tenso traduz-se em perdas de conduço menores, o que é um fator crítico para melhorar a eficiência dos sistemas de gerenciamento de energia.Uma baixa resistência no estado de funcionamento é essencial para minimizar a dissipaço de energia, reduzindo assim a geraço de calor e melhorando a gesto térmica dos dispositivos.Isto torna o Transistor de Baixa Tenso uma excelente escolha para aplicações compactas e de alta potência onde o espaço e soluções de refrigeraço so limitados.

Para aplicações que exigem uma eficiência e um desempenho térmicos ainda mais elevados, a tecnologia de processo SGT do MOSFET entra em jogo.Estações-base 5GA sua arquitetura avançada permite uma menor carga e capacitncia de porto.que resulta em velocidades de comutaço mais rápidas e em perdas de comutaço reduzidasIsto contribui para a poupança de energia e para a reduço dos custos operacionais dos sistemas que exigem uma operaço contínua e fiável.

A versatilidade do MOSFET de Baixa Tenso é ainda enfatizada por sua adequaço para operações de baixa tenso de porto.que simplifica os circuitos do condutor e reduz a complexidade geral do sistemaEsta característica é especialmente vantajosa em aplicações a bateria, onde a conservaço de energia é primordial, e em dispositivos portáteis, onde o espaço para componentes adicionais é limitado.

Quer estejam a desenvolver soluções para carregamento sem fios que exigem transferência de energia sem problemas, quer a projetar sistemas de carregamento rápido que exigem alta eficiência,ou motoristas de engenharia que precisam de um controlo preciso, o MOSFET de Baixa Tenso é o componente de escolha. Seus processos superiores de trincheira e SGT, alta capacidade EAS e baixo Rds ((ON) fornecem uma combinaço inigualável de desempenho, confiabilidade,e recursos de poupança de energia que so essenciais para os projetos eletrónicos de alto desempenho de hoje.

Em resumo, o MOSFET de baixa tenso é um componente de última geraço que se destaca em uma ampla gama de aplicações devido sua tecnologia e design avançados.É um testemunho da inovaço contínua no campo da electrónica de potência, oferecendo aos designers e engenheiros as ferramentas de que necessitam para criar a próxima geraço de dispositivos de alto desempenho e eficiência energética.


Características:

  • Nome do produto: MOSFET de baixa tenso
  • Vantagens do processo SGT: Optimizaço da FOM (Figura de Mérito) de avanço, cobrindo mais aplicações
  • Processo de construço: trincheira/SGT
  • Resistência: baixa Rds ((ON) para melhor conduço
  • Consumo de energia: Baixa perda de energia, adequado para projetos sensíveis energia
  • Eficiência: Alta eficiência e fiabilidade, garantindo um desempenho óptimo em várias aplicações
  • Palavras-chave: baixa tenso fet, baixa tenso MOSFET, baixa tenso de potência mosfet

Parmetros técnicos:

ParmetroDescriço
Nome do produtoMOSFET de baixa tenso
Processo de estruturaTranche/SGT
Vantagens do processo de trincheiraRSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente
Aplicaço do processo de trincheiraCarregamento sem fio, carregamento rápido, condutor de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificaço síncrona
Processo SGT VantagensOptimizaço FOM avançada, cobrindo mais aplicações
Processo SGT ApplicationMotorista, Estaço Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificaço Síncrona
Capacidade de EASAlta capacidade de EAS
EficiênciaAlta eficiência e fiabilidade
Consumo de energiaBaixa perda de potência
ResistênciaBaixa Rds ((ON)

Aplicações:

A marca REASUNOS, originária de Guangdong, CN, traz para o mercado global seus produtos MOSFET de baixa tenso de alta qualidade, projetados para atender a uma infinidade de aplicações em vários cenários.Estes MOSFETs so fabricados com tecnologia de ponta para garantir alta eficiência e confiabilidade, tornando-os um componente indispensável em sistemas eletrónicos avançados.

Os MOSFETs de Baixa Tenso da REASUNOS, particularmente o MOSFET de Baixa Tenso Trench, so parte integrante de aplicações que exigem uma converso e gesto eficientes de energia.Estes MOSFETs so hábeis em lidar com explosões de energia súbita sem comprometer o seu desempenho, tornando-os uma excelente escolha para estações de base 5G, onde a operaço estável e fiável é primordial.e os clientes so incentivados a confirmar o preço com base no produto específico que lhes interessa.

A aplicaço do processo SGT do MOSFET de baixa tenso REASUNOS permite uma utilizaço diversificada em áreas como motoristas, sistemas de armazenamento de energia, interruptores de alta frequência,e retificaço síncronaEsses cenários exigem componentes que possam suportar operações de alta velocidade e so robustos o suficiente para suportar condições de trabalho intensas, que é onde o MOSFET de baixa tenso de potência se destaca.

Da mesma forma, a aplicaço do processo Trench do MOSFET de Baixa Tenso REASUNOS abre portas para soluções eficientes de Carregamento Sem Fio, dispositivos de Carregamento Rápido, conversores DC / DC e muito mais.Quer seja para eletrônicos de consumo ou máquinas industriais, o MOSFET Trench Low Voltage é projetado para aumentar o desempenho, minimizando a perda de energia.

Cada MOSFET de Baixa Tenso da REASUNOS é meticulosamente embalado em embalagens tubulares prova de poeira, prova de água e antiestáticas,assegurar a integridade do produto desde que sai da linha de produço até sua chegada ao local do cliente;A caixa de carto robusta e a embalagem em carto protegem ainda mais estes componentes sensíveis durante o transporte.

O tempo de entrega destes MOSFET varia de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total encomendada, com a capacidade de fornecimento atingindo um pico de 5KK / mês.A REASUNOS está empenhada em fornecer rapidamente e com segurança, com condições de pagamento de 100% T/T adiantado (EXW), garantindo uma transacço suave e transparente para a clientela.

Em resumo, o REASUNOS Low Voltage MOSFET, incluindo o Trench Low Voltage MOSFET, é um componente essencial para sistemas eletrônicos modernos que exigem alta eficiência, confiabilidade e versatilidade.Suas aplicações vo desde eletrônicos de consumo até sistemas de energia industrial, tornando-a uma soluço versátil para as necessidades tecnológicas de hoje.


Apoio e Serviços:

A linha de produtos MOSFET de baixa tenso é apoiada por serviços técnicos abrangentes concebidos para ajudar os nossos clientes em todas as fases do seu ciclo de vida do produto.Os nossos serviços incluem especificações detalhadas dos produtos, notas de aplicaço e ferramentas de design para facilitar a integraço dos nossos MOSFETs nos seus projetos.

Nosso apoio também se estende ao fornecimento de modelos de simulaço térmica e dados de confiabilidade para garantir que nossos MOSFETs de baixa tenso operem dentro dos parmetros desejados em sua aplicaço.nossa equipe oferece suporte de design para ajudar a resolver qualquer problema técnico que possa surgir durante o processo de desenvolvimento.

Para questões mais complexas ou assistência de projeto, a nossa equipa de apoio técnico ao produto está disponível para fornecer aconselhamento e soluções especializadas.Estamos empenhados em fornecer o mais alto nível de serviço ao cliente e excelência técnica para garantir que nossos MOSFETs de baixa tenso atendam e excedam as expectativas de desempenho.


Embalagem e transporte:

O produto MOSFET de baixa tenso é embalado em material protetor antiestático para garantir a entrega segura.Cada MOSFET é individualmente revestido para evitar danos por descarga eletrostática e é claramente rotulado com número de peça, especificaço e código de lote para fácil identificaço.

Para transporte, os MOSFETs embalados so colocados em uma embalagem exterior resistente, projetada para suportar os rigores do trnsito.A embalagem é selada com fita anti-alteraço e marcada com símbolos de manipulaço frágeis para garantir que o produto chegue ao seu destino em ótimas condições.As informações de rastreamento so fornecidas para cada envio, permitindo que os clientes monitorem o estado de entrega de seu pedido.


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