Forno de anilhamento vertical de semicondutores de 160 l de capacidade
nome:Forno de vácuo vertical de alto vácuo e alta pressão
Componentes essenciais:PLC, motor, rolamento, caixa de engrenagens, motor, embarcação de pressão, engrenagem, bomba
Dimensão ((L*W*H):300*300*500-700*700*1200 (pode ser personalizado)
calefator:Correia do Mo, tungstênio, grafite, SiMo, sic
Estrutura:Horizontal ou vertical
Voltagem:Opcional Personalizado ((110V/220v/380v/660v)
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Fornecedor verificado
Changzhou Jiangsu China
Endereço:
No. 10, Parque 2, estrada norte de Yulong, cidade de Chunjiang, distrito de Xinbei, cidade de Changzhou, província de Jiangsu, China
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
9.8MPa de carga vertical atmosfera protetora forno de sinterizaço industrial de presso de gás a vácuo de nitreto de silício de alta temperatura
Ser utilizado para base de ferro, base de ni, liga de alta temperatura e outras ligas de preciso, fundiço de materiais magnéticos e fundiço de preciso.
Características
A temperatura de aquecimento é alta, velocidade de fuso
Em condições de vácuo, no processo de fuso podem ser adicionados outros elementos.
Estrutura compacta, layout racional, operaço simples.
Tipo de forno em dois tipos, vertical e horizontal
Composiço do equipamento
O forno, cobertura de estrada, sensores, cadinho de fuso, materiais de isolamento, caixa de carregamento, mecanismo de elevaço da cobertura do forno, unidades de vácuo e potência de frequência moderada, gabinete de controle elétrico,composiço do dispositivo de mediço de temperatura.
Especificações
| Nome | Forno de vácuo vertical de alto vácuo e alta presso |
| Componentes essenciais | Plc, motor, rolamento, caixa de engrenagens, motor, recipiente de presso, engrenagem, bomba |
| Dimenso ((L*W*H) | 300*300*500-1000*1000*2000 ((Customizado) |
| Aquecedor | Mosi2 aquecimento, Mo Cintura, Tungstênio, Grafite, Simo, Sic |
| Estrutura | Horizontal, Vertical, Batch, Continuo |
| Voltagem | Opcional Personalizado ((110v/220v/380v/660v) |
| Max. Temperatura | 1000 °C-3000 °C |
| Presso máxima do gás | 9.8mpa |
| Utilizaço | Forno de tratamento térmico |
| Estrutura | Horizontal ou vertical |
| Aplicaço | Grafiteamento, purificaço, tratamentos de aquecimento |
| Ambiente de trabalho | Proteço da atmosfera do vácuo, do argo, do nitrogénio e do hidrogénio |
| Capacidade | 160 litros |
Forno de anilhamento vertical de semicondutores de 160 l de capacidade
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