Chips de laser nu de diodo de 755nm a 1550nm / barras / diodos de laser de matriz de pilha

Lugar de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:1
Tempo de entrega:Resíduos
Condições de pagamento:T/T via banco
Number modelo:Série SBN
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Fornecedor verificado
Wuhan Hubei China
Endereço: Parque Industrial Sintec, Optics Vally of China, Wuhan, Província de Hubei, PR China
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755nm a 1550nm Diodo Laser Bare Chips / Barras / Diodos Laser Array em pilha

 

Nós, uma empresa de laser de diodos, fabricamos lasers de diodos de alta potência e sistemas em uma ampla gama de potências de saída e comprimentos de onda, incluindo crescimento e corte de wafer, acoplamento de fibras e laser de empilhamento de barras.Mais de 1000 modelos esto sua escolha.Estabelecida em 2011, com mais de 60 técnicos e 2 cientistas, 20 deles com doutoramento.O nosso volume de negócios anual é de cerca de 20 milhões de dólares, com um crescimento de 30% em relaço ao ano anterior.Os nossos pontos fortes so os colaboradores talentosos, a engenharia de qualidade, o controlo de processos, o desenvolvimento de produtos e a produço em volume.

1Chip laser nu/bar

Óptica

Comprimento de onda central755nm,808nm,830nm,905nm,940nm,976,1550nm
Tolerncia ao comprimento de onda±10nm, ±5nm, ±3nm
Potência de saída2W, 10W, 20W, 50W, 100W, 150W, 200W, 300W, 500W, 1000W
Modo de funcionamentoCW/QCW/Modo único
Número de emissores1 ~ 60
Fator de preenchimento30% ~ 75%
Comprimento da cavidade1000um/1500um/2000um/3000um/4000um

Eletrodomésticos

Corrente de trabalho1 ~ 300A
Corrente limite0.5 ~ 50A
Tenso de funcionamento1.8~2.1V
Efeito de converso de potência30% ~ 60%

Termal

Temporário de trabalho25°C
Temperatura de armazenamento-30-80°C
Coeficiente de temperatura do comprimento de onda¥0,3 nm/°C

2. Diodos a laser em pilha

Óptica

Comprimento de onda central755nm, 808nm, 915nm, 940nm, 976nm, 1064nm
Tolerncia ao comprimento de onda±10nm, ±5nm, ±3nm
Potência de saída por barra20W/40W/80W/100W/200W/300W~30000W
Número de barras1 ~ 60pcs
Modo de funcionamentoCW/QCW

Eletrodomésticos

Corrente de trabalho1 ~ 300A
Corrente limite0.5 ~ 50A
Tenso de funcionamento1 ~ 40 V
Efeito de converso de potência30% ~ 60%

Funções opcionais: lente FAC, lente SAC.

Termal

Temporário de trabalho-20 a 70 °C
Temperatura de armazenamento-30-80°C
Coeficiente de temperatura do comprimento de onda¥0,3 nm/°C
Modo de arrefecimentoRefrigerado por água/TEC/Refrigerado por conduço/Refrigerado por ar
China Chips de laser nu de diodo de 755nm a 1550nm / barras / diodos de laser de matriz de pilha supplier

Chips de laser nu de diodo de 755nm a 1550nm / barras / diodos de laser de matriz de pilha

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