Chips de diodo emissor único de 638nm a 1550nm e barras nuas

Lugar de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:1
Tempo de entrega:Resíduos
Prazo de entrega:5-7days
Condições de pagamento:T/T via banco
Number modelo:Série STR
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Fornecedor verificado
Wuhan Hubei China
Endereço: Parque Industrial Sintec, Optics Vally of China, Wuhan, Província de Hubei, PR China
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Chips de diodo emissor único de 638nm a 1550nm e barras nuas

1. Emissor Único

Os chips de diodo laser de emissor único (SE) so o bloco básico construído para módulos de laser semicondutores de alta potência e alto brilho.Fabricamos chips individuais com uma variedade de potências de saída e comprimentos de onda.

Número da peçaComprimento de onda, nmPotência de saídaCorrente electricaLargura de emisso, umDivergência, grauTamanho, hum
STR-638A-110-1-1.5-SE6381W1,4A/2,1V11035/081500 x 400 x 150
STR-755A-350-8-2.5-SE7558W8A/1,9V35038/092500 x 500 x 150
STR-808A-150-3-1-SE8083W3A/1,9V15024/081000 x 500 x 150
STR-808A-190-10-4-SE80810W10A/1,8V19038/104000 x 500 x 150
STR-808A-350-10-2.5-SE80810,5 W10A/1,8V35036/082500 x 500 x 150
STR-880A-190-10-4-SE88010W12A/1,8V19032/082500 x 500 x 150
STR-880A-350-10-2.5-SE8809,8 W10A/1,8V35034/082500 x 500 x 150
STR-905A-74-25-0.75-SE90525W7A/7,2V7430/13750 x 400 x 150
STR-905A-150-50-0.75-SE90550W14A/7,6V15031/12750X400X150
STR-905A-200-75-0.75-SE90575W20A/8,4V20030/12750X400X150
STR-905B-200-25-0.75-SE90525W20A/3,8V20014750X600X150
STR-905-38-15-0.75-SE90515W5A/9,2V3835/30750X400X150
STR-905C-70-25-0.75-SE90525W8A/8,2V7017/30750X400X150
STR-905C-300-75-0.75-SE90575W22A/9,5V30030/12750 x 400 x 150
STR-905D-300-100-0.75-SE905100W22A/11V30030/13750 x 400 x 150
STR-915A-96-12-4.8-SE91512W12A/1,6V9626/104800 x 500 x 150
STR-915A-190-20-4-SE91520W20A/1,7V19026/104000 x 500 x 150
STR-940A-96-12-4.8-SE94012W12A/1,6V9626/104800 x 500 x 150
STR-940A-190-20-4-SE94020W20A/1,7V19026/104000 x 500 x 150
STR-976A-96-10-4.8-SE97610W10A/1,8V9627/094800 x 500 x 150
STR-976A-96-12-4.8-SE97612W12A/1,6V9626/104800 x 500 x 150
STR-976A-96-13-4-SE97613W12,5A/1,5V9628/084000 x 500 x 150
STR-976A-190-15-4-SE97615,5W15A/1,6V19029/104000 x 500 x 150
STR-976A-190-20-4-SE97620W20A/1,7V19026/104000 x 500 x 150
STR-1064A-190-10-4-SE106410W14A/0,9V19030/104000 x 500 x 150
STR-1064A-350-10-2.5-SE106410W13A/1,6V35029/102500 x 500 x 150
STR-1470A-96-1.5-1-SE14701,5 W4A/1,4V9631/111000 x 500 x 150
STR-1470A-96-3-2-SE14703W9A/1,5V9628/112000 x 500 x 150
STR-1550A-96-1.5-1-SE15501,5 W4A/1,4V9631/111000 x 500 x 150
STR-15500A-96-3-2-SE15503W9A/1,5V9628/112000 x 500 x 150

2. Barras nuas

Bare bar é uma matriz de chips laser semicondutores individuais, com potência de saída combinada de dezenas de Watts a algumas centenas de Watts.Nosso processo proprietário de passivaço de faceta garante a confiabilidade exigida pelas aplicações mais rigorosas.

Na tabela a seguir, WL significa comprimento de onda, I/V significa corrente/tenso de operaço, N significa o número de emissores, P/largura significa período (um)/largura do emissor (um), L/W/T significa comprimento/largura/ espessura da barra.

Número da peçaWL nmModoPoder4NP/Largura umEnchimentoL/W/T um
STR-755A-48-80-23-1.5-BAR755QCW80W86A/1,9V23499/19048%1500x10000x150
STR-808A-30-50-19-1-BAR808CW50W45A/1,7V19500/15030%1000x98000x150
STR-808A-48-100-23-1.5-BAR808CW100W88A/1,75V23400/19048%1500 x 9800 x 150
STR-808A-72-300-34-1.5-BAR808QCW300W190A/1,85V34290/21072%1500x10000x150
STR-940A-30-100-19-2-BAR940CW100W95A/1,65V19500/15030%2000x10000x150
STR-940A-50-200-24-3-BAR940CW200W195A/1,63V24400/20050%3000 x 10200 x 150
STR-940A-76-600-40-2-BAR940QCW600W600A/1,8V40250/19076%2000 x 10400 x 150
STR-976A-10-35-5-4-BAR976CW35W35A/1,7V51000/10010%4000 x 5000 x 150
STR-1470A-18-8-6-2-BAR1470CW8W24A/1,4V6400/9618%2000x3000x150
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Chips de diodo emissor único de 638nm a 1550nm e barras nuas

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