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Chips de diodo laser de emissor único de alta potência / barras / matrizes / pilhas

Lugar de origem:China

Quantidade mínima de encomenda:1

Tempo de entrega:Resíduos

Prazo de entrega:5-7days

Condições de pagamento:T/T via banco

Number modelo:Série STCX

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Wuhan Sintec Optronics Co., Ltd,

Fornecedor verificado

Wuhan Hubei China

Endereço: Parque Industrial Sintec, Optics Vally of China, Wuhan, Província de Hubei, PR China

Fornecedor do último login vezes: No 39 Horas

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Detalhes do produto Perfil da empresa

Detalhes do produto

Chips de Laser de Diodo Único de Alta Potência / Barras / Matrizes / Pilhas

(1) Chips de laser de emissor único de alta potência - Série BC

óptico
Comprimento de onda central	nm	915	915	976	976
Tolerância de comprimento de onda	nm	±10	±10	±3	±3
Potência de saída	C	25	30	25	30
Modo operacional	#	CW	CW	CW	CW
Divergência de eixo rápido	graus	55	55	55	55
Divergência de eixo lento	graus	9.5	9.5	9.5	9.5
Largura Espectral (FWHM)	nm	4	4	4	4
Coeficiente de temperatura de comprimento de onda	nm/℃	0,3	0,3	0,33	0,33
Polarização TE	%	97	97	97	97
Elétrico
Largura do Emissor	μm	195	230	195	230
Comprimento da cavidade	milímetros	4.5	4.5	4.5	4.5
Largura	μm	400	400	400	400
Grossura	μm	145	145	145	145
Geométrico
Conversão Eletro-óptica Eff.	%	62	62	63	63
Eficiência de inclinação	C/A	1.15	1.15	1.1	1.1
Limite de Corrente	A	1,5	1.8	1.1	1,5
Corrente Operacional	A	25	30	25	30
Tensão operacional	V	1,65	1,65	1,55	1,55

(2) Barra de diodo de alta potência - Série BB

óptico
Comprimento de onda central	nm	808	808	808	808	940	940
Tolerância de comprimento de onda	nm	±10	±10	±10	±3	±3	±3
Potência de saída	C	50	60	100	≥500	200	≥700
Divergência de eixo rápido	graus	≤65	≤65	≤65	≤65	≤55	≤55
Divergência de eixo lento	graus	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5
Largura Espectral (FWHM)	nm	≤2,5	≤2,5	≤3	≤3,5	≤3	5
Polarização TE	TM/TE	TE	TE	TE	TE	TE	TE
Coeficiente de temperatura de comprimento de onda	nm/℃	0,28	0,28	0,28	0,28	0,3	0,3
Elétrico
Eff de Conversão Eletro-óptica	%	≥55	≥55	≥55	≥58	≥63	≥63
Eficiência de inclinação	C/A	1.25	1.25	1.25	1.25	1	1.15
Limite atual	A	8	12	15	25	25	25
Corrente Operacional	A	50	60	105	≤430	220	650
Tensão operacional	V	1.8	1.8	1.8	2.0	1,55	1.7
Largura do pulso	nós	-	-	-	200	-	500
frequência de pulso	Hz	-	-	-	400	-	160
Ciclo de pulso	%	-	-	-	8	-	8
Geométrico
Número de Emissores	#	19	49	49	34	24	34
Largura do Emissor	μm	150	100	100	232	200	232
Passo do Emissor	μm	500	200	200	290	400	290
Fator de preenchimento	%	30	50	50	80	50	80
Comprimento da cavidade	milímetros	1,0	1,0	1,5	1,5	3	2
Espessura da barra	μm	145	145	145	115	115	115
Comprimento da Barra	milímetros	10	10	10	10.25	10.25	10.25
Térmico
Temperatura de operação	℃	25	25	25	25	20	25
Temperatura de armazenamento	℃	40~80	-40~80	40~80	40~80	-40~80	40~80
Velocidade do Fluxo	L/min	/	0,25	0,25	0,20	0,25	0,25

(3) Chips VCSEL de diodo de alta potência - série TOF

óptico
Comprimento de onda central@Iop	nm	808	850	940	940
Largura espectral (meia largura)	nm	2	2	2	2
Mudança de comprimento de onda / temperatura	nm/℃	0,07	0,07	0,07	0,07
Abertura do emissor	μm	10	10	10	10
Passo mínimo do emissor	μm	44	47	33	40
número do emissor	/	621	1216	305	364
Potência de saída	C	3.1	4	2.1	3.1
Corrente operacional	A	3.5	5	2.8	3.5
Consumo de energia	C	7	10	5.6	7
Tensão operacional	V	2	2	2	2
Operando eficientemente	%	35	40	40	40
Limite de corrente	A	0,7	1.2	0,38	0,47
ângulo de divergência	°	22	22	20	20
Geométrico
Comprimento do emissor	μm	916	1535	525	916
Largura do emissor	μm	901	1560	615	610
Comprimento do chip	μm	1206	1845	695	996
Largura do chip	μm	1006	1670	795	890
Espessura do cavaco	μm	100	100	100	100

(4) Chips VCSEL de diodo de alta potência - Série SL

óptico
Comprimento de onda central@Iop	nm	934	940	946
Largura espectral (meia largura)	nm		2
Mudança de comprimento de onda / temperatura	nm/℃		0,07
Abertura do emissor	μm		8
Passo mínimo do emissor	μm		21
Número do emissor (Área A)	-		377
Número do emissor (Área B)	-		6
Potência de saída (Área A)	C	1.3	1,5	1.7
Potência de saída (Área B)	C		0,024
Potência de ponto único	C		0,004
Corrente operacional (Área A)	A		3.6
Corrente operacional (Área B)	A		0,06
Consumo de energia (Área A)	C		3.6
Consumo de energia (Área B)	C		0,06
Tensão operacional	V		2
Operando eficientemente	%		40	45
Corrente limite (Área A)	A		0,38
Corrente limite (Área B)	A		0,006
ângulo de divergência	°		20
Geométrico
Comprimento da zona luminosa	μm		523
Largura da área emissora de luz	μm		548
Comprimento do chip	μm	758	778	798
Largura do chip	μm	701	721	741
Espessura do cavaco	μm	90	100	110

(5) Chips VCSEL de diodo de alta potência - Série LI

óptico
Comprimento de onda central	nm	905	940
Largura espectral (meia largura)	nm	2	2
Mudança de comprimento de onda / temperatura	nm/℃	0,07	0,07
Abertura do emissor	μm	12	12
Passo mínimo do emissor	μm	22	22
número do emissor	/	136	136
Potência de saída	C	60	60
Corrente operacional	A	15	15
Consumo de energia	C	300	300
Tensão operacional	V	25	25
Operando eficientemente	%	20	20
Limite de corrente	A	0,2	0,2
ângulo de divergência	°	20	20
Geométrico
Comprimento do emissor	μm	273	273
Largura do emissor	μm	288	288
Comprimento do chip	μm	520	520
Largura do chip	μm	401	401
Espessura do cavaco	μm	100	100

(6) Dispositivo Laser de Diodo de Alta Potência - Série COS

óptico
Comprimento de onda central	nm	915	915	976	976
Tolerância de comprimento de onda	nm	±10	±10	±3	±3
Potência de saída	C	25	30	25	30
Modo operacional	#	CW	CW	CW	CW
Divergência de eixo rápido	graus	55	55	55	55
Divergência de eixo lento	graus	9.5	9.5	9.5	9.5
Largura Espectral (FWHM)	nm	4	4	4	4
Coeficiente de Temperatura de Comprimento de Onda	nm/℃	0,3	0,3	0,33	0,33
Polarização TE	%	97	97	97	97
Elétrico
Eff de conversão eletro-óptica	%	62	62	63	63
Eficiência de inclinação	C/A	1.15	1.15	1.1	1.1
Limite de Corrente	A	1,5	1.8	1.1	1,5
Corrente Operacional	A	25	30	25	30
Tensão operacional	V	1,65	1,65	1,55	1,55
Geométrico
Largura do Emissor	μm	195	230	195	230
Comprimento da cavidade	milímetros	4.5	4.5	4.5	4.5
Largura	μm	400	400	400	400
Grossura	μm	145	145	145	145

(7) Dispositivos de laser de diodo de alta potência - Série MCC

óptico
Comprimento de onda central	nm	808	808	808	808	940	940
Tolerância de comprimento de onda	nm	±10	±10	±10	±10	±3	±3
Potência de saída	C	50	60	100	≥500	200	200
Divergência de eixo rápido	graus	≤65	≤65	≤65	≤65	≤55	≤55
Divergência de eixo lento	graus	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5
Largura Espectral (FWHM)	nm	≤2,5	≤2,5	≤3	≤3,5	≤3	≤3
Modo de polarização	TM/TE					TE	TE
Coeficiente de Temperatura de Comprimento de Onda	nm/℃	0,28	0,28	0,28	0,28	0,3	0,3
Elétrico
Eff de conversão eletro-óptica	%	≥55	≥55	≥55	≥58	≥63	≥63
Eficiência de inclinação	C/A	1.25	1.25	1.25	1.25	1	1.15
Limite de Corrente	A	8	12	15	25	25	25
Corrente Operacional	A	50	60	105	≤430	220	650
Tensão operacional	V	1.8	1.8	1.8	2.0	1,55	1.7
Largura do pulso	nós	-	-	-	200	-	500
frequência de pulso	Hz	-	-	-	400	-	160
Ciclo de Trabalho de Pulso	%	-	-	-	8	-	8
Geométrico
Número de Emissores	#	19	49	49	34	24	34
Largura do Emissor	μm	150	100	100	232	200	232
Passo do Emissor	μm	500	200	200	290	400	290
Fator de preenchimento	%	30	50	50	80	50	80
Comprimento da cavidade	milímetros	1,0	1,0	1,5	1,5	3	2
Espessura da barra	μm	145	145	145	115	115	115
Comprimento da Barra	milímetros	10	10	10	10.25	10.25	10.25
Térmico
Temp.	℃	25	25	25	25	20	25
Temperatura de armazenamento	℃	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80
Ritmo de fluxo de água	L/min	/	0,25	0,25	0,20	0,25	0,25

(8) Pilhas de Laser de Diodo de Alta Potência - Série MCP

óptico
Comprimento de onda central	nm	808	808	808
Tolerância de comprimento de onda	nm	±10	±10	±3
Potência de saída	C	60	100	300
Número de barras	#	2 ~ 60	2 ~ 60	2 ~ 60
Largura Espectral (FWHM)	nm	≤8	≤8	4
Modo operacional	#	CW	CW	QCW
Divergência de eixo rápido	graus	≤42	≤42	40
Divergência de eixo lento	graus	≤10	≤10	10
Coeficiente de temperatura de comprimento de onda	nm/℃	0,28	0,28	0,28
Elétrico
Eficiência de conversão de energia	%	50	50	50
Eficiência/barra de inclinação	C/A	≥1,1	≥1,1	1.1
Limite atual	A	4.5	4.5	4.5
Corrente Operacional	A	0,16	0,16	290
Tensão operacional/barra	V	≤2	≤2	1.8
Térmico
Temperatura de operação	℃	15 ~ 35	15 ~ 35	25
Temperatura de armazenamento	℃	0~55	0~55	0~55
Bar/Velocidade da água/Bar	l/m	0,3~0,5	0,3~0,5	0,3
Pressão Máxima de Entrada	psi	55	55	55
Tipo de água	-	Água DI	Água DI	Água DI
Resistividade à água deionizada (DI)	kΩ·cm	200~500	200~500	200~500
Partículas de filtro de água pura	μm	＜20	＜20	＜20

(9) Pilhas de laser de diodo de alta potência - Série QCP

óptico
Comprimento de onda central	nm	808	808
Tolerância de comprimento de onda	C	±3	±10
Potência/barra de saída da barra	%	300	40
Número de barras	%	2 a 24	60
Potência Total de Saída	μm	-	2400
Espaçamento entre barras	-	0,4 ~ 1,8	0,9
Largura Espectral (FWHM)	-	4	8
Largura do pulso	m	50-500	10-100
Taxa de repetição		1-200	1-10
Divergência de eixo rápido (FWHM)	nm	40	40
Divergência de eixo lento (FWHM)	mW	10	10
Coeficiente de temperatura de comprimento de onda		0,28	0,28
Elétrico
Eff de Conversão Eletro-óptica	%	50	50
Eficiência/barra de inclinação	C/A	1.1	1.1
Limite atual	A	20	10
Corrente Operacional	A	300	50
Tensão operacional/barra	V	2	1.8
Térmico
Tipo de água	-	Água pura	Água pura
Temperatura de operação	℃	25	25
Temperatura de armazenamento	℃	-40-85	-40-85

(10) Dispositivos de laser de diodo de alta potência - Série TO

óptico
		mín.	Típica	máx.
Comprimento de onda central	nm	820	830	840
Tolerância de comprimento de onda	nm		±10
Potência de saída	C		1,0
Largura Espectral (FWHM)	nm		3.0	4.0
Coeficiente de temperatura de comprimento de onda	nm/℃		0,3
Elétrico
Eff de Conversão Eletro-óptica	%	36	42
Eficiência de inclinação	C/A	1.05	1.1
Limite atual	A		0,38	0,45
Corrente Operacional	A		1.28	1,40
Tensão operacional	V		1.8	2.2
Térmico
Temperatura de operação	℃	0	25	40
Temperatura de armazenamento	℃		-20~70

Chips/barras/pilhas de laser de diodo série SBN

Perfil da empresa

Alta qualidade, baixo preço e bom serviço

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Misso
Nosso objetivo é desenvolver soluções para resolver problemas de engenharia usando tecnologia a laser.
Conectamos as nossas competências como especialistas em laser para criar soluções para academia e indústria.

Filosofia
Ambiente de trabalho criativo e aberto

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