S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Tecnologias Infineon
Número do modelo:S29GL01GS11FHIV23
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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No 26 Horas
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Família de memórias no voláteis GL-S MirrorBit® EclipseTM Flash
S29GL01GS 1 Gbit (128 Mbyte)S29GL512S 512 Mbit (64 Mbyte)
S29GL256S 256 Mbit (32 Mbyte)
S29GL128S 128 Mbit (16 Mbyte)
Núcleo CMOS de 3,0 volts com E/S versátil
Descriço geral
Os Spansion® S29GL01G/512/256/128S so produtos flash MirrorBit Eclipse fabricados com tecnologia de processo de 65 nm.Estes dispositivos oferecem um tempo de acesso rápido página de até 15 ns com um tempo de acesso aleatório correspondente de até 90 nsEles apresentam um Buffer de escrita que permite um máximo de 256 palavras/512 bytes a ser programado em uma operaço, resultando infaster eficazO tempo de programaço é mais curto do que o dos algoritmos de programaço padro, o que torna estes dispositivos ideais para aplicações embutidas de hoje, que exigem uma maior densidade, um melhor desempenho e um menor consumo de energia.
Características distintivas
Tecnologia de Eclipse MirrorBit de 65 nm¢ Fornecimento único (VCC) para leitura / programaço / apagamento (2,7V a 3,6V)
¢ Figura de E/S versátil
¢ Ampla faixa de tenso de entrada/saída (VIO): 1,65V a VCC
Bus de dados x16
¢ Leitura assíncrona de página de 32 bytes
Buffer de programaço de 512 bytes
- Programaço em múltiplos de página, até um máximo de 512 bytes
¢ Programa de palavra única e múltipla com opções de palavras
¢ Eliminaço de setores
Sectores uniformes de 128 kb
Suspender e retomar comandos para operações de programaço e apagamento
Registo de estado, sondagem de dados e métodos de pin Ready/Busy para determinar o estado do dispositivo
¢Proteço sectorial avançada (PSA)
Métodos de protecço voláteis e no voláteis para cada sector
¢ Separar 1024 bytes de programa de uma vez (OTP) matriz com duas regiões bloqueáveis
Tabela de parmetros da Interface Flash Comum (CFI)
¢ Intervalo de temperaturas
️ Indústria (-40°C a +85°C)
️ Na cabine (-40°C a +105°C)
¥100.000 ciclos de apagamento para qualquer sector típico
¢ 20 anos de conservaço dos dados
Opções de embalagem
¢ TSO de 56 pinos
¢ LAA de 64 bolas BGA fortificado, 13 mm x 11 mm
- 64 bolas LAE BGA reforçado, 9 mm x 9 mm
¢ VBU de 56 bolas BGA fortificado, 9 mm x 7 mm
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Semicondutor de cipreste |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | GL-S |
| Embalagem | Embalagens alternativas de fita e bobina (TR) |
| Embalagem | 64-LBGA |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 1.65 V ~ 3.6 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | BGA de 64 mm de dimetro (13x11) |
| Capacidade de memória | 1G (64M x 16) |
| Tipo de memória | FLASH - NO |
| Velocidade | 110 ns |
| Memória de formato | Flash |
| Parte do fabricante | Descriço | Fabricante | Comparaço |
| S29GL01GS11DHIV20 Memória | Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, FBGA-64 | Semicondutor de cipreste | S29GL01GS11FHIV23 vs S29GL01GS11DHIV20 |
| S29GL01GS11DHIV10 Memória | Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, PACAGE | Semicondutor de cipreste | S29GL01GS11FHIV23 vs S29GL01GS11DHIV10 |
| S29GL01GS10DHI020 Memória | Flash, 128MX8, 100ns, PBGA64, PACAGE | Semicondutor de cipreste | S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS10DHI020 |
| S29GL01GS11DHI020 Memória | Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, FBGA-64 | Semicondutor de cipreste | S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS11DHI020 |
| S29GL01GS10DHI010 Memória | Flash, 128MX8, 100ns, PBGA64, PACAGE | Semicondutor de cipreste | S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS10DHI010 |
| S29GL01GS11DHI010 Memória | Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, FBGA-64 | Semicondutor de cipreste | S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS11DHI010 |
| S29GL01GS12DHIV10 Memória | Flash, 128MX8, 120ns, PBGA64, 9 X 9 MM, sem halogênio e sem chumbo, FBGA-64 | Semicondutor de cipreste | S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS12DHIV10 |
| S29GL01GS10FHI010 Memória | Flash, 64MX16, 100ns, PBGA64, FBGA-64 | Semicondutor de cipreste | S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS10FHI010 |
| S29GL01GS11FHIV10 Memória | Flash, 64MX16, 110ns, PBGA64, FBGA-64 | Semicondutor de cipreste | S29GL01GS11FHIV23 vs S29GL01GS11FHIV10 |
| S29GL01GS11FHI010 Memória | Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, | Semicondutor de cipreste | S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS11FHI010 |
Descrições
FLASH - NOR Memória IC 1Gb (64M x 16) Paralelo 110ns 64-Fortificado
BGA (13x11)
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified
BGA T/R
Memória flash 1G BIT, 3V, 110NS, FBGA 64-BALL, MODO PAGE Memória
flash com tecnologia de processo MIRRORBIT de 65 nm, VIO, setor de
endereço mais baixo protegido
S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Tecnologias Infineon
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