MT53E256M16D1DS-046 AAT:B IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA Micron Technology Inc.
Número do modelo:MT5A1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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No 26 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria de produtos | Resonadores |
| Mfr | Micron Technology Inc. |
| Série | Automóveis AEC-Q100 |
| Pacote | Caixa |
| Estatuto do produto | Atividade |
| Tipo de memória | Volátil |
| Formato de memória | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - LPDDR4 móvel |
| Tamanho da memória | 4Gb (256M x 16) |
| Interface de memória | - |
| Frequência do relógio | 2,133 GHz |
| Escrever-Ciclo-Tempo-Word-Page | - |
| Fornecimento de tenso | 1.1V |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Número do produto de base | MT3A2 |
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA Micron Technology Inc.
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