AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Renesas Design Germany GmbH

Número do modelo:AT25DF021A-SSHN-T
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço: No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descriço

The AT25DF021 is a serial interface Flash memory device designed for use in a wide variety of high-volume consumer based applications in which program code is shad owed from Flash memory into embedded or external RAM for executionA arquitetura de borrado flexível do AT25DF021, com sua granularidade de borrado to pequena quanto 4 Kbytes, torna-o ideal para armazenamento de dados, eliminando a necessidade de armazenamento de dados adicionais.
Dispositivos EEPROM.

Características

• Fornecimento único de 2,3 V - 3,6 V ou 2,7 V - 3,6 V
• Interface periférica em série (SPI) compatível
Suporta os modos SPI 0 e 3
• Frequência de operaço máxima de 66 MHz
Clock-to-Output (tV) de 6 ns no máximo
• Arquitetura de apagamento flexível e otimizada para aplicações de armazenamento de código + dados



¢ Borrar Chip Completo
• Proteço individual de setores com característica global Protect/Unprotect
Quatro Sectores de 64 Kbytes cada
• Bloqueio controlado por hardware de setores protegidos através do WP Pin
• Registo de segurança OTP programável de 128 bytes
• Programaço flexível
️ Byte/Page Program (1 a 256 bytes)
• Tempos rápidos de programaço e apagamento
Tempo de programaço de página típica (256 bytes)
Tempo típico de eliminaço de blocos de 4 Kbyte
Tempo típico de eliminaço de blocos de 32 Kbyte
Tempo típico de eliminaço de blocos de 64 Kbyte
• Verificaço e notificaço automáticas de apagamentos/falhas de programaço
• Método JEDEC padro de leitura do fabricante e do ID do dispositivo
• Baixa dissipaço de energia
¢ 7 mA de corrente ativa de leitura (típica a 20 MHz)
¢ 15 μA Corrente de baixa potência profunda (típica)
• Duraço: 100.000 ciclos de programaço/apagamento
• Retenço de dados: 20 anos
• Cumprir toda a gama de temperaturas industriais
• Opções de embalagem verde padro da indústria (livre de Pb/halogeneto/compatível com o RoHS)
¢ SOIC de 8 chumbo (150 milímetros de largura)
¢ 8-pad Ultra Thin DFN (5 x 6 x 0,6 mm)

Especificações

AtributoAtributo Valor
FabricanteAdesto Technologies
Categoria de produtosIC de memória
Série-
EmbalagemEmbalagens alternativas
Embalagem8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)
Temperatura de funcionamento-40°C ~ 85°C (TC)
InterfaceSPI Serial
Fornecimento de tenso1.65 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor8-SOIC
Capacidade de memória2M (256K x 8)
Tipo de memóriaFlash
Velocidade104 MHz
Memória de formatoFlash

Descrições

Memória flash IC 2Mb (256K x 8) SPI 104MHz 8-SOIC
Memória Flash Serial SPI mínima de 2 Mbit e 1,65 V com suporte dual I/O
Memória flash 8-SOIC-N, IND TEMP, 1,65V, T&R
China AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Renesas Design Germany GmbH supplier

AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Renesas Design Germany GmbH

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