IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Número do modelo:IS42S16160J-7BLI
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Shenzhen China
Endereço: No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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DESCRIPÇO ISSI 16Mb DRAM síncrona IS42S16100 é organizada como um banco de 524.288 palavras x 16 bits x 2 para melhorar o desempenho.As DRAMs síncronas conseguem transferência de dados de alta velocidade usando arquitetura de pipeline. Todos os sinais de entrada e saída referem-se borda ascendente da entrada do relógio.


Características

• Frequência do relógio: 166, 143, 100 MHz
• Totalmente sincronizado; todos os sinais referenciados a uma ponta positiva do relógio
• Dois bancos podem funcionar simultaneamente e de forma independente
• Banco interno duplo controlado por A11 (banco selecionado)
• Fornecimento de energia único de 3,3 V
• Interface LVTTL
• comprimento de rajada programável (1, 2, 4, 8, página completa)
• Sequência de exploso programável: Sequencial/Interleave
• Auto atualizaço, auto atualizaço
• 4096 ciclos de atualizaço a cada 128 ms
• Endereço de coluna aleatório a cada ciclo de relógio
• Latência CAS programável (2, 3 horas)
• Capacidade de leitura/escritura em tempo real e de leitura/escritura em tempo real
• Terminaço da exploso por comando de parada da exploso e pré-carga
• Byte controlado por LDQM e UDQM
• Embalagem 400 milímetros e 50 pinos TSOP II

Especificações

AtributoAtributo Valor
FabricanteISSI
Categoria de produtosIC de memória
Série-
EmbalagemEmbalagens alternativas de bandeja
Embalagem54-TFBGA
Temperatura de funcionamento-40°C ~ 85°C (TA)
InterfaceParalelo
Fornecimento de tenso3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor54-TFBGA (8x8)
Capacidade de memória256M (16M x 16)
Tipo de memóriaSDRAM
Velocidade143 MHz
Memória de formatoMemória RAM

Descrições

Memória SDRAM IC 256Mb (16M x 16) Paralela 143MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 bolas BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
China IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc. supplier

IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

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