S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA Tecnologias Infineon
Número do modelo:S26KL128SDABHI020
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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[DACO Semicondutor]
Características:
● Embalagem de plástico com classificaço de inflamabilidade de laboratório de subscritores 94V-0● Para aplicações montadas na superfície
● Pacote discreto
● Relief de tenso incorporado
● Junço de silício metálico, conduço da maioria dos portadores
● Baixa perda de energia, alta eficiência
● Alta capacidade de corrente, baixa queda de tenso para a frente
● Capacidade de alta sobrecarga
● Para uso em inversores de alta frequência de baixa tenso, de rotaço livre e de proteço de polaridade
● Anel de proteço para proteço contra sobrevoltagem
● Soldadura a alta temperatura garantida: 250°C/10 segundos nos terminais
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Semicondutor de cipreste |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | HyperFlash? |
| Embalagem | Caixa |
| Embalagem | 24-TBGA |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 24-BGA (6x8) |
| Capacidade de memória | 128M (16M x 8) |
| Tipo de memória | FLASH - NO |
| Velocidade | 100 MHz |
| Memória de formato | Flash |
Descrições
FLASH - NOR Memória IC 128Mb (16M x 8) Paralelo 100MHz 96ns 24-FBGA
(6x8)
NOR Flash Parallel 3V 128M-bit 16M x 8 96ns 24-Pin Fortified BGA
Tray
S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA Tecnologias Infineon
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