S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA Tecnologias Infineon

Número do modelo:S26KL128SDABHI020
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço: No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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[DACO Semicondutor]


Características:

● Embalagem de plástico com classificaço de inflamabilidade de laboratório de subscritores 94V-0
● Para aplicações montadas na superfície
● Pacote discreto
● Relief de tenso incorporado
● Junço de silício metálico, conduço da maioria dos portadores
● Baixa perda de energia, alta eficiência
● Alta capacidade de corrente, baixa queda de tenso para a frente
● Capacidade de alta sobrecarga
● Para uso em inversores de alta frequência de baixa tenso, de rotaço livre e de proteço de polaridade
● Anel de proteço para proteço contra sobrevoltagem
● Soldadura a alta temperatura garantida: 250°C/10 segundos nos terminais

Especificações

AtributoAtributo Valor
FabricanteSemicondutor de cipreste
Categoria de produtosIC de memória
SérieHyperFlash?
EmbalagemCaixa
Embalagem24-TBGA
Temperatura de funcionamento-40°C ~ 85°C (TA)
InterfaceParalelo
Fornecimento de tenso2.7 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor24-BGA (6x8)
Capacidade de memória128M (16M x 8)
Tipo de memóriaFLASH - NO
Velocidade100 MHz
Memória de formatoFlash

Descrições

FLASH - NOR Memória IC 128Mb (16M x 8) Paralelo 100MHz 96ns 24-FBGA (6x8)
NOR Flash Parallel 3V 128M-bit 16M x 8 96ns 24-Pin Fortified BGA Tray
China S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA Tecnologias Infineon supplier

S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA Tecnologias Infineon

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