MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc.
Número do modelo:MT4A4A4A4A4A4A4A4A4B
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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DDR2 SDRAM
MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancosMT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos
Características
• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• E/S de 1,8 V de acordo com o padro JEDEC (compatível com SSTL_18)
• Opço de estroboscopia de dados diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitetura de prefetch de 4n bits
• Opço de estroboscopia de saída dupla (RDQS) para x8
• DLL para alinhar as transições DQ e DQS com CK
• 8 bancos internos para operaço simultnea
• Latência de CAS programável (CL)
• Latência do aditivo CAS (AL) publicada
• LATENÇA DE ESCRITA = LATENÇA DE LECTAÇO - 1 tCK
• Comprimentos de exploso selecionáveis (BL): 4 ou 8
• Força do motor de saída de dados ajustável
• 64 ms, 8192 ciclos de atualizaço
• Terminaço no momento da morte (ODT)
• Opço de temperatura industrial (IT)
• Opço de temperatura do automóvel (AT)
• Compatível com a RoHS
• Suporta a especificaço JEDEC clock jitter
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | - |
| Embalagem | Embalagens alternativas |
| Embalagem | 60-FBGA |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 60 FBGA (8x12) |
| Capacidade de memória | 256M (64Mx4) |
| Tipo de memória | DDR2 SDRAM |
| Velocidade | 3.75ns |
| Memória de formato | Memória RAM |
Descrições
SDRAM - DDR2 Memória IC 256Mb (64M x 4) Paralela 267MHz 500ps
60-FBGA (8x12)
MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc.
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