SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Tecnologia de microchip
Número do modelo:SST38VF6401B-70I/CD
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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No 26 Horas
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Descriço do produto
O SST38VF166 é composto por três bancos de memória, 2 EEPROM flash de modo setorial de 512K x16 bits cada, mais um E2PROM de 4K x16 bits alterável por palavras fabricado com a patente da SST,Tecnologia SuperFlash de alto desempenho. O SST38VF166 apaga e programa com uma única fonte de alimentaço.O dispositivo está em conformidade com os pinouts padro JEDEC (propostos) para memórias de toda a palavra.Características:
• Operações únicas de leitura e gravaço de 2,7-3,6 V• Bancos de memória separados para código ou dados
Capacidade de ler e escrever simultaneamente
• Confiabilidade superior
¢ Endurance (Resistência):
Banco E2 - 500 000 ciclos (típicos)
Banco de flash - 100.000 ciclos (típicos)
¢ Retenço de dados superior a 100 anos
• Baixo consumo de energia
A corrente ativa, leitura: 15 mA (típica)
Corrente ativa, leitura simultnea enquanto se escreve: 40 mA (típica)
Corrente de espera: 3 μA (típica)
Modo de baixa potência automática Corrente: 3 μA (típica)
• Operaço de gravaço rápida
Flash Bank-Erase + Programa: 8 segundos (típico)
Flash Block-Erase + Programa: 500 ms (típico)
Flash Sector-Erase + Program: 30 ms (típico)
E2 banco Word-Write: 9 ms (típico)
• Eliminaço fixa, programaço, tempo de gravaço
Permaneça constante depois de andar de bicicleta
• Tempo de acesso leitura
70 ns
• Endereço e dados bloqueados
• Detecço do fim da escrita
️ Troca de bits
¢ Dados# Pesquisa
• Banco E2:
Word-Write (apagamento automático antes do programa)
Sector-Erase (32 palavras) + Word-Programa (o mesmo que o banco Flash)
• Flash Bank: Dois pequenos tamanhos de elementos de apagamento
1 KWord por setor ou 32 KWord por bloco
Apagar qualquer um dos elementos antes do Word-Program
• Compatibilidade I/O CMOS
• Conjunto de comandos padro JEDEC
• Pacotes disponíveis
️ TSOP de 48 pinos (12 mm x 20 mm)
• Proteço contínua dos dados de hardware e software (SDP)
• Um setor E2 programável de uma só vez (OTP)
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Tecnologia de microchip |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | SST38 |
| Embalagem | Embalagens alternativas de bandeja |
| Estilo de montagem | SMD/SMT |
| Intervalo de temperatura de funcionamento | - 40°C a + 85°C |
| Embalagem | 48-TFBGA |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 48-TFBGA (6x8) |
| Capacidade de memória | 64M (4M x 16) |
| Tipo de memória | Flash |
| Velocidade | 70 ns |
| Arquitetura | Setor |
| Memória de formato | Flash |
| Tipo de interface | Paralelo |
| Organizaço | 4 M x 16 |
| Suporte-corrente-máximo | 30 mA |
| Largura do Data-Bus | 16 bits |
| Voltagem de alimentaço máxima | 3.6 V |
| Voltagem de alimentaço-min | 2.7 V |
| Embalagem | TFBGA-48 |
| Tipo de cronometragem | Asíncrono |
Descrições
Memória flash IC 64 Mb (4M x 16) paralelo 70ns 48-TFBGA (6x8)
Flash Parallel 3.3V 64M-bit 4M x 16 70ns 48-Pin TFBGA Tray
Memória Flash 64 Mbit x16 Flash Multi-Pur avançado
SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Tecnologia de microchip
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