IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc
Número do modelo:IS49NLC18160-25B
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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■ Características
1- Circuito de disparos de Schmidt.2Tipo de funcionamento de baixa tenso (VCC:2.3 a 7.0 V)
3Tipo de alta sensibilidade (IS481 E VHL: TYP. 5.4 lx a Ta=25 ̊C)
(IS482 E VLH: TYP. 5,4 lx a Ta=25 ̊C)
4. Compatível com LSTTL e TTL
5. Saída de baixo nível sob luz incidente (IS481)
Eficiência de alto nível sob luz incidente (IS482)
■ Aplicações
1Equipamento portátil a bateriaEspecificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | ISSI |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | IS49NLC18160 |
| Tipo | DDR1 |
| Embalagem | Caixa |
| Peso unitário | 0.015757 onças |
| Estilo de montagem | SMD/SMT |
| Nome comercial | RLDRAM2 |
| Embalagem | 144-TFBGA |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interface | Aumentar o número de unidades de produço |
| Fornecimento de tenso | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 144-FCBGA (11x18.5) |
| Capacidade de memória | 288M (16M x 18) |
| Tipo de memória | RLDRAM 2 |
| Velocidade | 2.5ns |
| Tempo de acesso | 2.5 ns |
| Memória de formato | Memória RAM |
| Temperatura máxima de funcionamento | + 70 C |
| Intervalo de temperatura de funcionamento | 0 C |
| Organizaço | 16 M x 18 |
| Suporte-corrente-máximo | 408 mA |
| Largura do Data-Bus | 18 bits |
| Voltagem de alimentaço máxima | 1.9 V |
| Voltagem de alimentaço-min | 1.7 V |
| Embalagem | BGA-144 |
| Frequência máxima do relógio | 400 MHz |
Descrições
Memória DRAM IC 288Mb (16M x 18) Paralela 400MHz 20ns 144-FCBGA
(11x18.5)
DRAM 288Mbit x18 I/O comum 400MHz
IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc
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