MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALELO 96FBGA Micron Technology Inc.

Número do modelo:MT41J128M16HA-125 IT:D
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Shenzhen China
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DDR3 SDRAM

2 GB: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM

Características

• VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V
• 1.5 V de entrada/saída por empurro/puxaço com terminaço central
• Estroboscopo bidirecional de dados diferencial
• Arquitetura de prefetch de 8n-bit
• Entradas de relógio diferencial (CK, CK#)
• 8 bancos internos
• Terminaço nominal e dinmica (ODT) para sinais de dados, estroboscopo e máscara
• CAS READ latency (CL) programável
• Latência do aditivo CAS (AL) publicada
• Latência de gravaço CAS programável (CWL) baseada no tCK
• comprimento fixo de exploso (BL) de 8 e corte de exploso (BC) de 4 (através do conjunto de registo de modo [MRS])
• BC4 ou BL8 selecionáveis on-the-fly (OTF)
• Modo de auto-realizaço
• TC de 0°C a 95°C
- 64ms, 8192 ciclos de atualizaço a 0°C a 85°C
32ms, 8192 ciclos de atualizaço a 85°C a 95°C
• Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
• Escrever nivelamento
• Registo multifuncional
• Calibraço do condutor de saída

Especificações

AtributoAtributo Valor
FabricanteMicron Technology Inc.
Categoria de produtosIC de memória
Série-
EmbalagemCaixa
Embalagem96-TFBGA
Temperatura de funcionamento-40°C ~ 95°C (TC)
InterfaceParalelo
Fornecimento de tenso1.425 V ~ 1.575 V
Embalagem do produto do fornecedor96-FBGA (9x14)
Capacidade de memória2G (128M x 16)
Tipo de memóriaDDR3 SDRAM
Velocidade800 MHz
Memória de formatoMemória RAM

Descrições

SDRAM - DDR3 Memória IC 2Gb (128M x 16) Paralela 800MHz 13,75ns 96-FBGA (9x14)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin FBGA
China MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALELO 96FBGA Micron Technology Inc. supplier

MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALELO 96FBGA Micron Technology Inc.

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