6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc.
Número do modelo:6116LA25SOG8
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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No 26 Horas
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Descriço
O IDT6116SA/LA é uma RAM estática de alta velocidade de 16.384 bits organizada como 2K x 8. É fabricado usando tecnologia CMOS de alto desempenho e alta confiabilidade.Características
◆ Acesso de alta velocidade e tempo de seleço de chips
Militar: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (máximo)
¢ Indústria: 20/25ns (máximo)
- Comércio: 15/20/25n (máximo)
◆ Baixo consumo de energia
◆ Operaço de reserva de bateria
Voltagem de retenço de dados de 2 V (apenas verso LA)
◆ Produzido com CMOS avançado de alto desempenho
Tecnologia
◆ O processo CMOS praticamente elimina o erro da partícula alfa
Taxas
◆ Entrada e saída diretamente compatíveis com o TTL
◆ Operaço estática: no so necessários relógios ou atualizações
◆ Disponível em DIP cermico de 24 pinos, cermica e plástico de 24 pinos Thin
SOIC de mergulho e 24 pinos
◆ Produto militar compatível com o MIL-STD-833, Classe B
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Sistemas de circuitos integrados |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | - |
| Embalagem | Embalagens alternativas |
| Embalagem | 24-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 24-SOIC |
| Capacidade de memória | 16K (2K x 8) |
| Tipo de memória | SRAM - Assíncrona |
| Velocidade | 25 ns |
| Memória de formato | Memória RAM |
| Parte do fabricante | Descriço | Fabricante | Comparaço |
| 6116LA20SOGI Memória | SOIC-24, Tubos | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | 6116LA25SOG8 versus 6116LA20SOGI |
| 6116LA20SOG Memória | SOIC-24, Tubos | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | 6116LA25SOG8 versus 6116LA20SOG |
| STK22C48-SF25 Memória | SRAM no volátil, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0,350 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | Simtek Corporation | 6116LA25SOG8 contra STK22C48-SF25 |
| 6116LA25SOGI Memória | SOIC-24, Tubos | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | 6116LA25SOG8 versus 6116LA25SOGI |
| 6116LA25SOG Memória | SOIC-24, Tubos | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | 6116LA25SOG8 versus 6116LA25SOG |
| STK22C48-SF45I Memória | 2KX8 SRAM no volátil, 45ns, PDSO28, 0,350 INCH, PLASTICO, SOIC-28 | Rochester Electronics LLC | 6116LA25SOG8 versus STK22C48-SF45I |
| STK22C48-SF25I Memória | 2KX8 SRAM no volátil, 25ns, PDSO28, 0,350 INCH, PLASTICO, SOIC-28 | Rochester Electronics LLC | 6116LA25SOG8 vs STK22C48-SF25I |
| STK22C48-NF45I Memória | 2KX8 SRAM no volátil, 45ns, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTICO, SOIC-28 | Rochester Electronics LLC | 6116LA25SOG8 vs STK22C48-NF45I |
Descrições
SRAM - Memória assíncrona IC 16Kb (2K x 8) paralela 25ns 24-SOIC
SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc.
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