DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALELO 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado
Número do modelo:DS1225AD-200+
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descriço
As DS1225AB e DS1225AD so SRAMs totalmente estáticas e no voláteis de 65.536 bits organizadas em 8192 palavras por 8 bits.Cada SRAM NV tem uma fonte de energia de lítio autónoma e um circuito de controlo que monitora constantemente o VCC para uma condiço fora de tolerncia..Características
10 anos de conservaço mínima dos dados na ausência de energia externaOs dados so automaticamente protegidos durante a perda de energia
Substitui directamente a RAM estática volátil 8k x 8 ou EEPROM
Ciclos de gravaço ilimitados
CMOS de baixa potência
Pacote DIP padro JEDEC de 28 pinos
Tempo de acesso de leitura e gravaço de até 70 ns
A fonte de energia de lítio é desconectada eletricamente para manter a frescura até que a energia seja aplicada pela primeira vez
Intervalo de operaço VCC completo ± 10% (DS1225AD)
Intervalo de funcionamento VCC opcional de ±5% (DS1225AB)
Intervalo opcional de temperaturas industriais de -40°C a +85°C, designado IND
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Maxim Integrado |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | DS1225AD |
| Embalagem | Tubos |
| Estilo de montagem | Através do Buraco |
| Embalagem | Módulo 28-DIP (0,600", 15,24 mm) |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 28-EDIP |
| Capacidade de memória | 64K (8K x 8) |
| Tipo de memória | NVSRAM (SRAM no volátil) |
| Velocidade | 200 ns |
| Tempo de acesso | 200 ns |
| Memória de formato | Memória RAM |
| Temperatura máxima de funcionamento | + 70 C |
| Intervalo de temperatura de funcionamento | 0 C |
| Corrente de abastecimento operacional | 75 mA |
| Tipo de interface | Paralelo |
| Organizaço | 8 k x 8 |
| Parte-#-Aliases | 90-1225A+D00 DS1225AD |
| Largura do Data-Bus | 8 bits |
| Voltagem de alimentaço máxima | 5.5 V |
| Voltagem de alimentaço-min | 4.5 V |
| Embalagem | EDIP-28 |
Componente funcional compatível
Forma, embalagem, componente funcional compatível
| Parte do fabricante | Descriço | Fabricante | Comparaço |
| DS1225Y-200+ Memória | Modulo SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-28 | Produtos integrados Maxim | DS1225AD-200+ versus DS1225Y-200+ |
| DS1225AB-200IND Memória | Módulo SRAM no volátil 8KX8, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 | Rochester Electronics LLC | DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200IND |
| DS1225Y-200 Memória | Módulo SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-28 | Produtos integrados Maxim | DS1225AD-200+ versus DS1225Y-200 |
| DS1225AD-200 Memória | Módulo SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0,720 INCH, EXTENDIDO, DIP-28 | Dallas Semiconductor | DS1225AD-200+ versus DS1225AD-200 |
| DS1225AB-200IND+ Memória | Modulo SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-28 | Produtos integrados Maxim | DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200IND+ |
| BQ4010MA-200 Memória | Módulo SRAM no volátil 8KX8, 200ns, DMA28, DIP-28 | Texas Instruments | DS1225AD-200+ versus BQ4010MA-200 |
| BQ4010YMA-200 Memória | Módulo SRAM no volátil 8KX8, 200ns, PDIP28 | Texas Instruments | DS1225AD-200+ versus BQ4010YMA-200 |
| DS1225AB-200 Memória | Módulo SRAM no volátil 8KX8, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 | Rochester Electronics LLC | DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200 |
| DS1225AB-200+ Memória | Modulo SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-28 | Produtos integrados Maxim | DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200+ |
| DS1225AD-200IND+ Memória | Modulo SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-28 | Produtos integrados Maxim | DS1225AD-200+ versus DS1225AD-200IND+ |
Descrições
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memória IC 64Kb (8K x 8) Paralela 200ns
28-EDIP
NVRAM 64k SRAM no volátil
DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALELO 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado
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