CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALELO 256FBGA Cypress Semiconductor Corp
Número do modelo:CYD09S36V18-200BBXI
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Shenzhen China
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No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Resistores de preciso por eixo com chumbo
A gama Holco de resistores de película metálica de preciso atende exigência de componentes de preço económico para aplicações industriais e militares.A instalaço de fabrico utiliza processos de produço rigorosamente controlados, incluindo o revestimento por pulverizaço de películas de liga metálica em substratos cermicos.O material é revestido com uma camada de epóxi para proteço ambiental e mecnica.Comercialmente, a série está disponível em dois tamanhos de caixa, de 1 ohm a 4M ohms, tolerncias de 0,05% a 1% e TCRs de 5ppm/°C a 100ppm/°C. Oferecido com liberaço para BS CECC 40101 004, 030 e 804, o H8 está disponível através da distribuiço.
Características fundamentais
■ Ultrapreciso - até 0,05%■ Os conjuntos correspondentes esto disponíveis até 2 ppm/°C
■ Resiste a pulsos elevados
■ Baixa reatividade
■ TCR baixo - até 5 ppm/°C
■ Estabilidade a longo prazo
■ Até 1 Watt a 70°C
■ Publicaço ao CECC 40101 004, 030 e 804
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Semicondutor de cipreste |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | CYD09S36V18 |
| Tipo | Sincronizado |
| Embalagem | Caixa |
| Estilo de montagem | SMD/SMT |
| Embalagem | 256-LBGA |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 1.42 V ~ 1,58 V, 1,7 V ~ 1,9 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 256-FBGA (17x17) |
| Capacidade de memória | 9M (256K x 36) |
| Tipo de memória | SRAM - Portos duplos, sincrono |
| Velocidade | 200 MHz |
| Taxa de dados | DEG |
| Tempo de acesso | 3.3 ns |
| Memória de formato | Memória RAM |
| Temperatura máxima de funcionamento | + 85 C |
| Intervalo de temperatura de funcionamento | - 40 C. |
| Tipo de interface | Paralelo |
| Organizaço | 256 k x 36 |
| Suporte-corrente-máximo | 670 mA |
| Voltagem de alimentaço máxima | 1.9 V |
| Voltagem de alimentaço-min | 1.7 V |
| Embalagem | FBGA-256 |
| Frequência máxima do relógio | 200 MHz |
Descrições
SRAM - Dual Port, Memória síncrona IC 9Mb (256K x 36) Paralela
200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17)
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 9M-Bit 256K x 36 9ns/5ns 256-Pin FBGA Tray
SRAM 9MB (256Kx36) 1,8v 200MHz SRAM sincronizada
CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALELO 256FBGA Cypress Semiconductor Corp
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