AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512 MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.
Número do modelo:As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa devem ser ca
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Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Alliance Memory, Inc. |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | - |
| Embalagem | Embalagens alternativas de bandeja |
| Embalagem | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm de largura) |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 2.3 V ~ 2,7 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 66-TSOP II |
| Capacidade de memória | 512M (32M x 16) |
| Tipo de memória | DDR SDRAM |
| Velocidade | 200 MHz |
| Memória de formato | Memória RAM |
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512 MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.
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