MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALELO 78FBGA Micron Technology Inc.
Número do modelo:MT41K256M8DA-125: K
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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No 26 Horas
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[MCL]
Amplificador de laboratório CW TWT de banda larga
Para ensaios de RADAR, EMC e EWO amplificador de banda larga MT4100 é alavancado em torno da arquitetura MT4000 TWT comprovada em campo.
Com um design modular, uma embalagem compacta e eficiente, o MT4100 apresentará uma fiabilidade inigualável.Características:
Capacidades de diagnóstico extensasProjeto térmico avançado
Tamanho compacto
Refrigeraço por canalizaço
Operaço silenciosa
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | - |
| Embalagem | Embalagens alternativas de bandeja |
| Embalagem | 78-TFBGA |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 1.283 V ~ 1.45 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | A partir de um ponto de fuso, o ponto de fuso é o ponto de fuso. |
| Capacidade de memória | 2G (256M x 8) |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM |
| Velocidade | 800 MHz |
| Memória de formato | Memória RAM |
| Mfr | Micron Technology Inc. |
| Pacote | Caixa |
| Estatuto do produto | Atividade |
| Tipo de memória | Volátil |
| Formato de memória | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
| Tamanho da memória | 2Gb (256M x 8) |
| Interface de memória | Paralelo |
| Frequência do relógio | 800 MHz |
| Escrever-Ciclo-Tempo-Word-Page | - |
| Tempo de acesso | 13,75 ns |
| Fornecimento de tenso | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem | 78-TFBGA |
| Número do produto de base | MT2M2M2M2 |
Componente funcional compatível
Forma, embalagem, componente funcional compatível
| Parte do fabricante | Descriço | Fabricante | Comparaço |
| H5TQ2G83CFR-H9C Memória | DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, sem halogênio e compatível com a ROHS, FBGA-78 | SK Hynix Inc. | MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4 |
| MT41K256M8DA-125IT:K Memória | DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, sem chumbo, FBGA-78 | Micron Technology Inc. | MT41K256M8DA-125:K vs MT41K256M8DA-125IT:K |
| H5TQ2G83FFR-PBC Memória | DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78 | SK Hynix Inc. | MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83FFR-PBC |
| H5TQ2G83CFR-PBC Memória | DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, sem halogênio e compatível com a ROHS, FBGA-78 | SK Hynix Inc. | MT41K256M8DA-125:K versus H5TQ2G83CFR-PBC |
| H5TC2G83CFR-PBA Memória | DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, sem halogênio e compatível com a ROHS, FBGA-78 | SK Hynix Inc. | MT4M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2 |
| MT2M2M2M2M2M2 Memória | DDR DRAM, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, livre de chumbo, FBGA-78 | Micron Technology Inc. | MT41K256M8DA-125:K vs MT41K256M8DA-125:M |
| MT41K256M8DA-107:K Memória | DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, 1,20 MM de altura, livre de chumbo, FBGA-78 | Micron Technology Inc. | MT41K256M8DA-125:K vs MT41K256M8DA-107:K |
| H5TQ2G83DFR-RDC Memória | DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, sem halogênio e compatível com a ROHS, FBGA-78 | SK Hynix Inc. | MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83DFR-RDC |
| H5TQ2G83EFR-PBC Memória | DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, livre de halogênio e compatível com a ROHS, FBGA-78 | SK Hynix Inc. | MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83EFR-PBC |
| H5TQ2G83DFR-PBC Memória | DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, livre de halogênio e compatível com a ROHS, FBGA-78 | SK Hynix Inc. | MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83DFR-PBC |
Descrições
SDRAM - DDR3L Memória IC 2Gb (256M x 8) Paralela 800MHz 13,75ns
78-FBGA (8x10.5)
Chip DRAM DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALELO 78FBGA Micron Technology Inc.
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