MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALELO 60FBGA Micron Technology Inc.
Número do modelo:MT46V16M16CY-5B A TI: M
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descriço geral
A DDR333 SDRAM é uma memória CMOS de acesso aleatório dinmico de alta velocidade que opera a uma frequência de 167 MHz (tCK=6ns) com uma taxa de transferência de dados máxima de 333Mb/s/p.O DDR333 continua a usar a interface SSTL_2 padro JEDEC e a arquitetura 2n-prefetch.Características
• Relógio de 167 MHz, taxa de dados de 333 Mb/s/p•VDD= +2,5V ±0,2V, VDDQ = +2,5V ±0,2V
• Estrobo de dados bidireccional (DQS) transmitido/recebido com dados, ou seja, captura de dados síncrona com a fonte (x16 tem dois - um por byte)
• Arquitetura interna de dupla taxa de dados (DDR); dois acessos de dados por ciclo de relógio
• Entradas de relógio diferencial (CK e CK#)
• Os comandos inseridos em cada borda CK positiva
• DQS alinhado em bordas com dados para READs; centro alinhado com dados para WRITEs
• DLL para alinhar as transições DQ e DQS com CK
• Quatro bancos internos para funcionamento simultneo
• Máscara de dados (DM) para mascarar dados de gravaço (x16 tem dois - um por byte)
• Comprimentos de rajadas programáveis: 2, 4 ou 8
• Opço de pré-carregamento automático simultneo suportada
• Modos de auto-realizaço e auto-realizaço
• Pacote FBGA disponível
• 2.5V de entrada/saída (compatível com SSTL_2)
• bloqueio do tRAS (tRAP = tRCD)
• Compatível para trás com DDR200 e DDR266
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | - |
| Embalagem | Embalagens alternativas de bandeja |
| Embalagem | 60-TFBGA |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 2.5 V ~ 2,7 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 60 FBGA (8x12,5) |
| Capacidade de memória | 256M (16M x 16) |
| Tipo de memória | DDR SDRAM |
| Velocidade | 5n |
| Memória de formato | Memória RAM |
Descrições
SDRAM - Memória DDR IC 256Mb (16M x 16) Paralela 200MHz 700ps
60-FBGA (8x12.5)
Chip DRAM DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V 60 pin FBGA
MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALELO 60FBGA Micron Technology Inc.
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