CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC Infineon Technologies

Número do modelo:CY14B101PA-SFXI
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço: No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Resumo

O Cypress CY14X101PA combina uma nvSRAM de 1 Mbit com um RTC completo em um circuito integrado monolítico com interface SPI serial.Os elementos no voláteis incorporados incorporam a tecnologia QuantumTrapA SRAM fornece ciclos de leitura e gravaço infinitos, enquanto as células QuantumTrap fornecem armazenamento de dados no voláteis altamente confiável.As transferências de dados da SRAM para os elementos no voláteis (operaço STORE) ocorrem automaticamente na desativaço. No power-up, os dados so restaurados para a SRAM a partir da memória no volátil (operaço RECALL).

Características

■ Memória de acesso aleatório estático no volátil de 1 Mbit (nvSRAM)
¢ Organizado internamente como 128 K × 8
- STORE para QuantumTrap elementos no voláteis iniciados automaticamente na desativaço (AutoStore) ou usando instruções SPI (Software STORE) ou HSB pin (Hardware STORE)
¢ RECALL para a SRAM iniciado com a ligaço (Power Up RECALL) ou com a instruço SPI (Software RECALL)
¢ STOORE automático desligado com um pequeno condensador
■ Alta fiabilidade
¢ Ciclos infinitos de leitura, gravaço e RECALL
1 milho de ciclos STORE para QuantumTrap
¢ Conservaço dos dados: 20 anos a 85 °C
■ Relógio em tempo real (RTC)
¢ RTC com todas as funcionalidades
- O cronômetro do co de guarda.
Alarme de relógio com interrupções programáveis
Indicaço de falha de alimentaço de reserva
️ saída de onda quadrada com frequência programável (1 Hz, 512 Hz, 4096 Hz, 32,768 kHz)
¢ Capacitor ou bateria de reserva para RTC
️ Corrente de reserva de 0,45 μA (típica)
■ 40 MHz e 104 MHz Interface periférica serial de alta velocidade (SPI)
¢ Frequência de relógio de 40 MHz SPI escrever e ler com atraso de ciclo zero
¢ frequência de clock de 104 MHz SPI escrever e ler (com instruções especiais de leitura rápida)
Suporta o modo SPI 0 (0, 0) e o modo 3 (1, 1)
■ Acesso do SPI a funções especiais
O valor do valor do produto deve ser o valor do produto em questo.
Número de série de 8 bits
Identificaço do fabricante e do produto
Modo de sono
■ Protecço de escrita
Proteço de hardware com pin de proteço por gravaço (WP)
Proteço de software usando a instruço Write Disable
Proteço de blocos de software para 1/4, 1/2 ou toda a matriz
■ Baixo consumo de energia
¢ Corrente ativa média de 3 mA em funcionamento a 40 MHz
¢ corrente média em modo de espera de 250 μA
Corrente em modo de repouso de 8 μA
■ Configurações padro da indústria
Voltagens de funcionamento:
• CY14C101PA: VCC = 2,4 V a 2,6 V
• CY14B101PA: VCC = 2,7 V a 3,6 V
• CY14E101PA: VCC = 4,5 V a 5,5 V
Temperatura industrial
¢ Pacote de circuito integrado de contorno pequeno (SOIC) de 16 pinos
¢ Restriço de substncias perigosas (RoHS)

Especificações

AtributoAtributo Valor
FabricanteCypress Semiconductor Corp.
Categoria de produtosResonadores
MfrCypress Semiconductor Corp.
Série-
PacoteTubos
Estatuto do produtoAtividade
Tipo de memóriaNo voláteis
Formato de memóriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (SRAM no volátil)
Tamanho da memória1 MB (128K x 8)
Interface de memóriaSPI
Frequência do relógio40 MHz
Escrever-Ciclo-Tempo-Word-Page-
Fornecimento de tenso2,7 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamento-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagemMontagem de superfície
Embalagem16-SOIC (0,295 "7,50 mm de largura)
Embalagem do produto do fornecedor16-SOIC
Número do produto de baseCY14B101

Componente funcional compatível

Forma, embalagem, componente funcional compatível

Parte do fabricanteDescriçoFabricanteComparaço
CY14C101Q3A-SF104XI
Memória
SRAM no volátil, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, compatível com a ROHS, MO-119, SOIC-16Semicondutor de cipresteCY14B101PA-SFXI versus CY14C101Q3A-SF104XI
CY14B101PA-SF104XIT
Memória
SRAM no volátil, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, compatível com a ROHS, MO-119, SOIC-16Semicondutor de cipresteCY14B101PA-SFXI versus CY14B101PA-SF104XIT
CY14B101Q3-SFXI
Memória
SRAM no volátil, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, compatível com a ROHS, MO-119, SOIC-16Semicondutor de cipresteCY14B101PA-SFXI versus CY14B101Q3-SFXI
CY14B101Q3-SFXIT
Memória
SRAM no volátil, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, compatível com a ROHS, MO-119, SOIC-16Semicondutor de cipresteCY14B101PA-SFXI versus CY14B101Q3-SFXIT
CY14B101PA-SFXIT
Memória
SRAM no volátil, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16Semicondutor de cipresteCY14B101PA-SFXI versus CY14B101PA-SFXIT
CY14B101P-SFXI
Memória
SRAM no volátil, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, compatível com a ROHS, MO-119, SOIC-16Semicondutor de cipresteCY14B101PA-SFXI versus CY14B101P-SFXI
CY14B101PA-SF104XI
Memória
SRAM no volátil, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, compatível com a ROHS, MO-119, SOIC-16Semicondutor de cipresteCY14B101PA-SFXI versus CY14B101PA-SF104XI
CY14B101P-SFXIT
Memória
SRAM no volátil, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, compatível com a ROHS, MO-119, SOIC-16Semicondutor de cipresteCY14B101PA-SFXI versus CY14B101P-SFXIT
CY14B101I-SFXI
Memória
SRAM no volátil, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, compatível com a ROHS, MO-119, SOIC-16Semicondutor de cipresteCY14B101PA-SFXI versus CY14B101I-SFXI
CY14B101I-SFXIT
Memória
SRAM no volátil, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, compatível com a ROHS, MO-119, SOIC-16Semicondutor de cipresteCY14B101PA-SFXI versus CY14B101I-SFXIT

Descrições

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memória IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 16-SOIC
NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 3.3V tubo SOIC de 16 pines
NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM
China CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC Infineon Technologies supplier

CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC Infineon Technologies

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