IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.
Número do modelo:IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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No 26 Horas
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Descriço
The IS66_ series are optically coupled isolators consisting of infrared light emitting diode and a high voltage NPN silicon photo darlington which has an integral base-emitter resistor to optimise switching speed and elevated temperature characteristics in a standard 6pin dual in line plastic package.Características
• Opções :-10 mm de espalhamento de chumbo - adicionar G após o número da peça.
Instalaço de superfície - adicionar SM após a parte n.o.
Tape&reel - adicionar SMT&R após a parte n.o.
• Alta tenso de isolamento (5,3 kVRMS,7.5kVPK)
• Alta taxa de transferência de corrente (1000% min)
• Alta BVCEO (400V min. - IS662)
(300 V min. - IS661)
(200V min. - IS660)
Aplicações
• Modems• Máquinas de cópia, fax
• Máquinas de controlo numérico
• Transmisso de sinal entre sistemas de potenciais e impedanças diferentes
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | ISSI |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | - |
| Embalagem | Embalagens alternativas de fita e bobina (TR) |
| Embalagem | 54-VFBGA |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 10,7 V ~ 1,95 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | O número de veículos deve ser igual ou superior a: |
| Capacidade de memória | 32M (2M x 16) |
| Tipo de memória | PSRAM (Pseudo) |
| Velocidade | 70 ns |
| Memória de formato | Memória RAM |
Descrições
PSRAM (Pseudo SRAM) Memória IC 32Mb (2M x 16) Paralela 70ns
54-VFBGA (6x8)
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.
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