Descriço geral
Os MT28F004B3 (x8) e MT28F400B3 (x16/x8) so dispositivos de memória
programáveis no voláteis, apagáveis por bloqueio (flash), contendo
4,194A gravaço ou eliminaço do dispositivo é feita com uma tenso de
3.3V ou 5V VPP, enquanto todas as operações so realizadas com uma
3.3V VCCDevido aos avanços da tecnologia de processo, o VPP 5V é
ideal para aplicaço e programaço de produço.
O MT28F004B3 e o MT28F400B3 esto organizados em sete blocos
apagáveis separadamente.Os dispositivos possuem um bloco de
arranque protegido por hardware. Escrever ou apagar o bloco de
inicializaço requer aplicar uma supervoltagem ao pin RP# ou dirigir
o WP# HIGH, além de executar as sequências normais de gravaço ou
apagamento.Este bloco pode ser utilizado para armazenar código
implementado na recuperaço do sistema de baixo nívelOs blocos
restantes variam em densidade e so escritos e apagados sem medidas
de segurança adicionais.
Características
• Sete blocos de apagamento:
Bloco de arranque de palavras de 16KB/8K (protegido)
Dois blocos de parmetros de palavras de 8KB/4K
Quatro blocos de memória principais
• Tecnologia Smart 3 (B3):
3.3V ± 0,3V VCC
3.3V ± 0,3V Programaço de aplicações VPP
5V ± 10% VPP aplicaço/programaço de produço1
• Compatível com dispositivos Smart 3 de 0,3 μm
• Processo CMOS de porta flutuante de 0,18 μm avançado
• Tempo de acesso ao endereço: 80 ns
• 100 000 ciclos de ERASE
• Pinouts padro da indústria
• As entradas e saídas so totalmente compatíveis com o TTL
• Algoritmo automatizado de gravaço e apagamento
• Sequência WRITE/ERASE de dois ciclos
• LEIA e ESCREVA em byte ou palavra
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• Somente leitura e escrita em todo o byte
(MT28F004B3, 512K x 8)
• Opções de embalagem TSOP e SOP