AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALELO 28SOJ Alliance Memory, Inc.
Número do modelo:AS7C256A-12JCN
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Shenzhen China
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No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descriço funcional
O AS7C256A é um dispositivo CMOS de alto desempenho de 5,0V com memória de acesso aleatório estático (SRAM) de 262,144 bits organizado como 32.768 palavras × 8 bits.É projetado para aplicações de memória que requerem acesso rápido a dados a baixa tensoA Alliance's avançada circuito design e técnicas de processo permitem operaço de 5,0V sem sacrificar o desempenho ou margens operacionais.Características
• Pin compatível com AS7C256• Opções de temperatura industriais e comerciais
• Organizaço: 32.768 palavras × 8 bits
• Alta velocidade
- 10/12/15/20 ns tempo de acesso ao endereço
- 5, 6, 7, 8 ns de saída permitir tempo de acesso
• Consumo de energia muito baixo: ACTIVO
- 412,5 mW max @ 10 ns
• Consumo de energia muito baixo: STANDBY
- 11 mW max CMOS I/O
• Fácil expanso da memória com entradas CE e OE
• Compatível com TTL, E/S de três estados
• Pacotes padro JEDEC de 28 pinos
- 300 ml de SOJ
- 8 × 13,4 mm TSOP 1
• Proteço ESD ≥ 2000 volts
• Corrente de retenço ≥ 200 mA
• 2.0 V de retenço de dados
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Alliance Memory, Inc. |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | - |
| Embalagem | Embalagens alternativas de tubos |
| Embalagem | 28-BSOJ (.300", 7,62 mm de largura) |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 28-SOJ |
| Capacidade de memória | 256K (32K x 8) |
| Tipo de memória | SRAM - Assíncrona |
| Velocidade | 12n |
| Memória de formato | Memória RAM |
| Parte do fabricante | Descriço | Fabricante | Comparaço |
| PDM41256LB12SO Memória | SRAM padro, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28 | IXYS Corporation | AS7C256A-12JCN versus PDM41256LB12SO |
| C1C1E-JC12 Memória | SRAM padro, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | Samsung Semiconductor | AS7C256A-12JCN versus K6E0808C1E-JC12 |
| AS7C256A-12JCN Memória | SRAM padro, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, livre de chumbo, PLASTICO, SOJ-28 | Alliance Memory Inc. | AS7C256A-12JCN versus AS7C256A-12JCN |
| AS7C256A-12JC Memória | SRAM padro, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | Alliance Memory Inc. | AS7C256A-12JCN versus AS7C256A-12JC |
| C1C1C-JC12 Memória | SRAM padro, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | Samsung Semiconductor | AS7C256A-12JCN versus K6E0808C1C-JC12 |
| KM68257EJ-12 Memória | SRAM padro, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | Samsung Semiconductor | AS7C256A-12JCN versus KM68257EJ-12 |
| KM68257CJ-12 Memória | SRAM padro, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | Samsung Semiconductor | AS7C256A-12JCN versus KM68257CJ-12 |
Descrições
SRAM - Memória assíncrona IC 256Kb (32K x 8) paralela 12ns 28-SOJ
SRAM 256K, 5V, 12ns, FAST 32K x 8 SRAM assíncrona
AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALELO 28SOJ Alliance Memory, Inc.
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