MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALELO 54VFBGA Micron Technology Inc.
Número do modelo:MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR (transistor de alta eficiência de silício)
Características
* Baixa resistência de ligaço equivalente; RCE (sat) 400mΩ a 1A* 1 Amp de corrente contínua
* Ptot= 500 mW
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | - |
| Embalagem | Faixa de corte (TC) |
| Embalagem | 54-VFBGA |
| Temperatura de funcionamento | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 10,7 V ~ 1,95 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | O número de veículos aéreos deve ser igual ou superior a: |
| Capacidade de memória | 16M (1M x 16) |
| Tipo de memória | PSRAM (Página) |
| Velocidade | 70 ns |
| Memória de formato | Memória RAM |
Descrições
PSRAM (Pseudo SRAM) Memória IC 16Mb (1M x 16) Paralela 70ns
54-VFBGA (6x9)
MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALELO 54VFBGA Micron Technology Inc.
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