IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.
Número do modelo:IS41LV16100B-50KL
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
Contate
Add to Cart
Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes:
No 26 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
Detalhes do produto
Descriço
O ISSIIS41LV16100B é 1,048Memórias de Acesso Dinmico aleatório CMOS de alto desempenho de 576 x 16 bits. Estes dispositivos oferecem um acesso de ciclo acelerado chamado Modo de Página EDO. O Modo de Página EDO permite 1,024 acessos aleatórios numa única linha com um tempo de ciclo de acesso to curto como 20 ns por palavra de 16 bits.Características
• Entradas e saídas compatíveis com o TTL; E/S de três estados• Intervalo de atualizaço:
Modo de atualizaço automática: 1.024 ciclos / 16 ms
¢ somente RAS, CAS antes de RAS (CBR) e oculto
• Pinout padro JEDEC
• Fonte de alimentaço única: 3,3 V ± 10%
• Operaço de Byte Write e Byte Read através de dois CAS
• Faixa de temperatura industrial: -40oC a +85oC
• Disponível sem chumbo
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | ISSI |
| Categoria de produtos | Chips IC |
| Série | - |
| Embalagem | Tubos |
| Embalagem | 42-BSOJ (0,400", 10,16 mm) |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 3 V ~ 3,6 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 42-SOJ |
| Capacidade de memória | 16M (1M x 16) |
| Tipo de memória | DRAM - EDO |
| Velocidade | 50 ns |
| Memória de formato | Memória RAM |
Descrições
Memória DRAM - EDO IC 16Mb (1M x 16) Paralela 25ns 42-SOJ
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.
Inquiry Cart
0