71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc
Número do modelo:71V25761S166PFG8
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:Em existência
Tempo de entrega:3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem:Saco antiestático e caixa de papelão
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
No. 2520, 25° andar, bloco A, Ásia nova Guoli Building, rua norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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No 26 Horas
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Descriço
O IDT71V256SA é uma RAM estática de alta velocidade de 262.144 bits organizada como 32K x 8. É fabricado usando a tecnologia CMOS de alto desempenho e alta confiabilidade da IDT.Características
• Ideal para processadores de alto desempenho• Comercial (0° a 70°C) e Industrial (-40° a 85°C)
opções de temperatura
• Tempo de acesso rápido:
Commercial: 10/12/15/20ns
Indústria: 15 anos
• Corrente de espera baixa (máximo):
2mA em estado de espera total
• Pequenas embalagens para arranjos menos pesados:
¢ 28 pinos 300 mil SOJ
- 28 pinos 300 mil DIP de plástico (só comercial)
¢ TSOP tipo I de 28 pinos
• Produzido com CMOS avançado de alto desempenho
Tecnologia
• As entradas e saídas so compatíveis com LVTTL
• Fonte de alimentaço única de 3,3 V (± 0,3 V)
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Sistemas de circuitos integrados |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | 71V25761S166 |
| Tipo | Sincronizado |
| Embalagem | Embalagens alternativas de fita e bobina (TR) |
| Peso unitário | 0.023175 onças |
| Estilo de montagem | SMD/SMT |
| Embalagem | 100 LQFP |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tenso | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 100 TQFP (14x20) |
| Capacidade de memória | 4.5M (128K x 36) |
| Tipo de memória | SRAM - Sincronizado |
| Velocidade | 166 MHz |
| Tempo de acesso | 3.5 ns |
| Memória de formato | Memória RAM |
| Temperatura máxima de funcionamento | + 70 C |
| Intervalo de temperatura de funcionamento | 0 C |
| Tipo de interface | Paralelo |
| Organizaço | 128 k x 36 |
| Suporte-corrente-máximo | 320 mA |
| Parte-#-Aliases | 71V25761 IDT71V25761S166PFG8 |
| Voltagem de alimentaço máxima | 3.465 V |
| Voltagem de alimentaço-min | 3.135 V |
| Embalagem | TQFP-100 |
| Frequência máxima do relógio | 166 MHz |
| Parte do fabricante | Descriço | Fabricante | Comparaço |
| IDT71V25761S166PFI8 Memória | Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de altura, PLASTICO, TQFP-100 | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | 71V25761S166PFG8 vs IDT71V25761S166PFI8 |
| 71V25761S166PFGI Memória | Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 1,40 MM de altura, verde, plástico, TQFP-100 | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | 71V25761S166PFG8 versus 71V25761S166PFGI |
| IDT71V25761S166PF Memória | Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | 71V25761S166PFG8 versus IDT71V25761S166PF |
| 71V25761S166PFG Memória | TQFP-100, bandeja | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | 71V25761S166PFG8 contra 71V25761S166PFG |
| 71V25761S166PF8 Memória | Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de altura, PLASTICO, TQFP-100 | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | 71V25761S166PFG8 contra 71V25761S166PF8 |
| IDT71V25761S166PFI Memória | Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | 71V25761S166PFG8 vs IDT71V25761S166PFI |
Descrições
SRAM - Memória síncrona IC 4.5Mb (128K x 36) Paralela 166MHz 3.5ns
100-TQFP (14x20)
SRAM 128Kx36 SYNC 3,3 V SRAM BRAST
71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc
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