Descriço geral
Esta descriço aplica-se especificamente ao dispositivo de memória
no volátil M29F de 16 Mb (2 Meg x 8 ou 1 Meg x 16), mas também
aplica-se a densidades mais baixas.O programa tem como objectivo:,
de baixa tenso (4,5 ∼5,5 V). No momento da ligaço, o dispositivo é
definido como modo de leitura e pode ser lido da mesma forma que
uma ROM ou EPROM.
O dispositivo é dividido em blocos que podem ser apagados
independentemente, preservando dados válidos enquanto os dados
antigos so apagados.Cada bloco pode ser protegido de forma
independente para evitar que operações acidentais de PROGRAMA ou
ERASE modifiquem a memória. COMANDOS PROGRAMA e ESCRITA so escritos
na interface de comando.Um controlador de programaço / apagamento
no chip simplifica o processo de programaço ou apagamento do
dispositivo gerenciando as operações necessárias para atualizar o
conteúdo da memória.
O final de uma operaço PROGRAMA ou ERASE pode ser detectado e
quaisquer condições de erro identificadas.
Características
• Tenso de alimentaço
VCC = 5V
• Tempo de acesso: 55 s
• Controlador de programaço/apagamento
Algoritmos de programaço de byte/word incorporados
• Apagar os modos de suspenso e retomada
• Baixo consumo de energia
¢ Dispositivos de espera e automáticos
• 100 000 ciclos de PROGRAMA/ERASE por bloco
• Assinatura electrónica
Código do fabricante: 0x01h
• Códigos dos principais dispositivos
M29F200FT: 0x2251
M29F400FT 0x2223
M29F800FT: 0x22D6
M29F160FT: 0x22D2
• Códigos dos dispositivos inferiores
M29F200FB 0x2257
M29F400B: 0x22AB
M29F800FB: 0x2258
M29F160FB: 0x22D8
• Embalagens compatíveis com a RoHS
¢ TSOP48
SO44 (16Mb no disponível para este pacote)
• Dispositivos para automóveis grau 3
Temperatura: de 40°C a +125°C
• Dispositivos para automóveis grau 6
Temperatura: de 40°C a +85°C
• Certificado de qualidade automotiva (AEC-Q100)