STGWA20H65DFB2 ST Transistor 20 A Alta Velocidade HB2 Série IGBT TO-247

Número do modelo:STGWA20H65DFB2
Local de origem:Itália
Quantidade mínima de encomenda:1 PCS
Condições de pagamento:T/T, L/C
Capacidade de abastecimento:12000 PCS+48hours
Tempo de entrega:24-72hours
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 4513, bloco C, construção de CEIEC, Huaqiang Rd norte, distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China 518031
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Detalhes do produto

 

STGWA20H65DFB2 ST Transistor 20 Uma série HB2 de alta velocidade IGBT TO-247

 

 

Fabricante: STMicroelectronics
Categoria do produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Pacote/Caso: TO-247-3
Estilo de montagem: através de um buraco
Configuraço: Único
Voltagem máxima do colector-emissor VCEO: 650 V
Voltagem de saturaço do colector-emissor: 1,65 V
Voltagem máxima da porta/emissor: - 20 V, 20 V
Corrente contínua do colector a 25 C: 40 A
Dissipaço de potência Pd: 147 W
Temperatura mínima de funcionamento: - 55 °C
Temperatura máxima de funcionamento: + 175 C
Embalagem: tubo
Marca: STMicroelectronics
Corrente de vazamento do porto emissor: 250 nA
Tipo de produto: Transistores IGBT
Embalagem Quantidade: 600 PCS
Subcategoria: IGBTs
Peso unitário: 6,100 g

 

 

 

 

China STGWA20H65DFB2 ST Transistor 20 A Alta Velocidade HB2 Série IGBT TO-247 supplier

STGWA20H65DFB2 ST Transistor 20 A Alta Velocidade HB2 Série IGBT TO-247

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